中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
机构
采集方式
内容类型
发表日期
学科主题
  • 半导体材料 [2]
筛选

浏览/检索结果: 共2条,第1-2条 帮助

限定条件    
条数/页: 排序方式:
MBE growth of 2.3m InGaAsSb/AlGaAsSb strained multiple quantum well diode lasers 期刊论文  OAI收割
key engineering materials, 2013, 卷号: 552, 页码: 389-392
Zhang, Tiancheng; Ni, Qinfei; Liu, Xuezhen; Yu, Bin; Wang, Yuxia; Zhang, Yu; Ma, Xunpeng; Wang, Yongbin; Xu, Yun
收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2014/04/28
High-temperature (T = 80 °c) operation of a 2 μm InGaSb - AlGaAsSb quantum well laser 期刊论文  OAI收割
Journal of Semiconductors, 2012, 卷号: 33, 期号: 4, 页码: 044006
Zhang, Yu; Wang, Yongbin; Xu, Yingqiang; Xu, Yun; Niu, Zhichuan; Song, Guofeng
收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2013/04/19