机构

• 微电子研究所 [6]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 外文期刊 [6]

发表日期

• 2010 [1]
• 2007 [1]
• 2006 [2]
• 2004 [1]
• 2001 [1]

学科主题

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 内容类型：外文期刊     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Effects of Shell Strain on Valence Band Structure and Transport Properties of Ge/Si1-xGex Core-Shell Nanowire 外文期刊  OAI收割 2010 作者:  Zhao, YN;  Xu, HH;  Du, G;  Liu, XY;  Fan, C   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/26 Field-effect Transistors  Growth  Germanium  Silicon  Vapor   Low-cost and highly manufacturable strained-Si channel technique for strong hole mobility enhancement on 35-nm gate length pMOSFETs 外文期刊  OAI收割 2007 作者:  Xu, QX   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/26 Hole mobility enhancement of pMOSFETs with strain channel induced by ge pre-amorphization implantation for source/drain extension 外文期刊  OAI收割 2006 作者:  Xu, QX;  Duan, XF;  Qian, H;  Liu, HH;  Li, HO   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/26 SOI technology for radio-frequency integrated-circuit applications 外文期刊  OAI收割 2006 作者:  Yang, R;  Qian, H;  Li, JF;  Xu, QX;  Hai, CH   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/26 Rf-cmos  Silicon  Ghz   Characterization of 1.9-and 1.4-nm ultrathin gate oxynitride by oxidation of nitrogen-implanted silicon substrate 外文期刊  OAI收割 2004 作者:  Xu, QX;  Qian, H;  Han, ZS;  Lin, G;  Liu, M   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2010/11/26 Remote Plasma Nitridation  Oxide  Growth  No   The investigation of key technologies for sub-0.1-mu m CMOS device fabrication 外文期刊  OAI收割 2001 作者:  Xu, QX;  Qian, H   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/26 p+-polysilicon Gate  Ge Preamorphization  Thin-films  Oxides  Transformation  Suppression  Resistance  Extension  Salicide  Mosfet