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• 半导体研究所 [26]

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发表日期

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学科主题

• 半导体物理 [26]

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浏览/检索结果: 共26条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Mechanical properties of individual InAs nanowires studied by tensile tests 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 2014, 卷号: 104, 104, 期号: 10, 页码: 103110, 103110 作者:  Li, X;  Wei, XL;  Xu, TT;  Ning, ZY;  Shu, JP   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2015/03/25 Electronic and Mechanical Coupling in Bent ZnO Nanowires 期刊论文  OAI收割 advanced materials, 2009, 卷号: 21, 期号: 48, 页码: 4937 Han XB; Kou LZ; Lang XL; Xia JB; Wang N; Qin R; Lu J; Xu J; Liao ZM; Zhang XZ; Shan XD; Song XF; Gao JY; Guo WL; Yu DP 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/04/04 QUANTUM WIRES  SI SUBSTRATE  STRAIN  ARRAYS  PHOTOLUMINESCENCE  SILICON   Dislocation scattering in AlxGa1-xN/GaN heterostructures 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 18, 页码: art. no. 182111 Xu, XQ; Liu, XL; Han, XX; Yuan, HR; Wang, J; Guo, Y; Song, HP; Zheng, GL; Wei, HY; Yang, SY; Zhu, QS; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2010/03/08 aluminium compounds  dislocation density  electron mobility  gallium compounds  III-V semiconductors  interface roughness  semiconductor heterojunctions  two-dimensional electron gas  wide band gap semiconductors   A study of the growth and optical properties of AlInGaN alloys 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 10, 页码: 2632-2637 Huang JS; Dong X; Lu XL; Xu ZY; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：265/14  |  提交时间：2010/08/12 AlInGaN  MOCVD  localized exitons  quantum dots  TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE  MULTIPLE-QUANTUM WELLS  LUMINESCENCE  RELAXATION  SILICON  GAN   Time-resolved photoluminescence studies of AlInGaN alloys 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2003, 卷号: 20, 期号: 7, 页码: 1148-1150 作者:  Li DB 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/08/12 INXALYGA1-X-YN QUATERNARY ALLOYS  LUMINESCENCE   Abnormal temperature dependence of photoluminescence from self-assembled InAs quantum dots covered by an InAlAs/InGaAs combination layer 期刊论文  OAI收割 solid state communications, 2003, 卷号: 126, 期号: 7, 页码: 391-394 作者:  Jin P;  Ye XL;  Li CM;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/08/12 nanostructures  semiconductors  optical properties  EPITAXY   Localized exciton dynamics in AlInGaN alloy 期刊论文  OAI收割 solid state communications, 2003, 卷号: 126, 期号: 8, 页码: 473-477 Huang JS; Dong X; Luo XD; Liu XL; Xu ZY; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/08/12 AlInGaN  quantum dots  hopping  stretched-exponential decay  MULTIPLE-QUANTUM WELLS  LIGHT-EMITTING-DIODES  TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  THERMAL-ACTIVATION  LUMINESCENCE  TRANSITIONS  RELAXATION  SILICON  LAYERS   Optical properties of AIInGaN quaternary alloys 会议论文  OAI收割 conference on optoelectronic and microelectronic materials and devices (commad), sydney, australia, dec 11-13, 2002 Huang JS; Dong X; Luo XD; Liu XL; Xu ZY; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/10/29 LIGHT-EMITTING-DIODES  LOCALIZED EXCITONS  LUMINESCENCE  RELAXATION  SILICON  BAND   Photoluminescence study of self-assembled InAs/GaAs quantum dots covered by an InAlAs and InGaAs combination layer 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2002, 卷号: 92, 期号: 1, 页码: 511-514 作者:  Jin P;  Li CM;  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  1.3 MU-M  TEMPERATURE-DEPENDENCE  GROWTH  GAAS  LASERS   Effect of growth temperature on luminescence and structure of self-assembled InAlAs/AlGaAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 4, 页码: 2048-2050 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：99/6  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  LASER-DIODES  PHOTOLUMINESCENCE  THRESHOLD  EMISSION