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  • 半导体材料 [2]
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High-temperature (T = 80 °c) operation of a 2 μm InGaSb - AlGaAsSb quantum well laser 期刊论文  OAI收割
Journal of Semiconductors, 2012, 卷号: 33, 期号: 4, 页码: 044006
Zhang, Yu; Wang, Yongbin; Xu, Yingqiang; Xu, Yun; Niu, Zhichuan; Song, Guofeng
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Molecular beam epitaxy of GaSb on GaAs substrates with AlSb/GaSb compound buffer layers 期刊论文  OAI收割
thin solid films, THIN SOLID FILMS, 2010, 2010, 卷号: 519, 519, 期号: 1, 页码: 228-230, 228-230
作者:  Hao RT (Hao Ruiting);  Deng SK (Deng Shukang);  Shen LX (Shen Lanxian);  Yang PZ (Yang Peizhi);  Tu JL (Tu Jielei)
  |  收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/12/28