机构

• 半导体研究所 [14]

采集方式

• iSwitch采集 [7]
• OAI收割 [7]

内容类型

• 期刊论文 [14]

发表日期

• 2001 [6]
• 2000 [8]

学科主题

• 半导体材料 [4]
• 半导体物理 [2]
• 半导体化学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共14条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Structure and photoluminescence of ingaas quantum dots formed on an inalas wetting layer 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics letters, 2001, 卷号: 18, 期号: 10, 页码: 1411-1414 作者:  Zhang, YC;  Huang, CJ;  Ye, XL;  Xu, B;  Ding, D 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/05/12 Thermal redistribution of photocarriers between bimodal quantum dots 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 4, 页码: 1973-1976 作者:  Zhang, YC;  Huang, CJ;  Liu, FQ;  Xu, B;  Wu, J 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 Optical properties of ingaas quantum dots formed on inalas wetting layer 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 224, 期号: 1-2, 页码: 41-46 作者:  Zhang, YC;  Huang, CJ;  Xu, B;  Ye, XL;  Ding, D 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/12 Nanostructures  Molecular beam epitaxy  Semiconducting iii-v materials   Optical properties of InGaAs quantum dots formed on InAlAs wetting layer 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 224, 期号: 1-2, 页码: 41-46 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：77/2  |  提交时间：2010/08/12 nanostructures  molecular beam epitaxy  semiconducting III-V materials  ELECTRON-PHONON INTERACTIONS  TEMPERATURE-DEPENDENCE  SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS  CARRIER TRANSFER  INAS  GAAS  LASERS  ISLANDS  GROWTH  GAIN   Thermal redistribution of photocarriers between bimodal quantum dots 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 4, 页码: 1973-1976 作者:   收藏  |  浏览/下载：85/5  |  提交时间：2010/08/12 TEMPERATURE-DEPENDENCE  CARRIER RELAXATION  EMISSION   Structure and photoluminescence of InGaAs quantum dots formed on an InAlAs wetting layer 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2001, 卷号: 18, 期号: 10, 页码: 1411-1414 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：82/8  |  提交时间：2010/08/12 TEMPERATURE-DEPENDENCE  CARRIER TRANSFER  LASERS  GAIN   Structural and optical characterization of inas nanostructures grown on (001) and high index inp substrates 期刊论文  iSwitch采集 Applied surface science, 2000, 卷号: 167, 期号: 3-4, 页码: 191-196 作者:  Li, YF;  Ye, XL;  Liu, FQ;  Xu, B;  Ding, D 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Self-assembled quantum dots  Molecular beam epitaxy  High index   Two-dimensional ordering of self-assembled inas quantum dots grown on (311)b inp substrate 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 219, 期号: 1-2, 页码: 17-21 作者:  Li, YF;  Liu, FQ;  Xu, B;  Ye, XL;  Ding, D 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Quantum dots  Molecular beam epitaxy  High index   Temperature dependence of electron redistribution in modulation-doped inas/gaas quantum dots 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 219, 期号: 3, 页码: 199-204 作者:  Zhang, YC;  Huang, CJ;  Liu, FQ;  Xu, B;  Ding, D 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Quantum dots  Inas/gaas  Mbe  Photoluminescence  Absorption   Room temperature 1.55 mu m emission from inas quantum dots grown on (001)inp substrate by molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 451-454 作者:  Li, YF;  Ye, XL;  Xu, B;  Liu, FQ;  Ding, D 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/05/12 Quantum dots  Molecular beam epitaxy  Inas/inp