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Method to fabricate GaN-based vertical-cavity surface-emitting devices featuring silicon-diffusion defined current blocking layer 专利  OAI收割
专利号: US20170104315A1, 申请日期: 2017-04-13, 公开日期: 2017-04-13
作者:  
YEH, PING-HUI;  YU, MENG-CHUN;  LIN, JIA-HUAN;  HUANG, CHING-CHIN
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Method and apparatus for use of III-nitride wide bandgap semiconductors in optical communications 专利  OAI收割
专利号: US7345812, 申请日期: 2008-03-18, 公开日期: 2008-03-18
作者:  
HUI, RONGQING;  JIANG, HONG-XING;  LIN, JING-YU
  |  收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2019/12/26