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半导体研究所 [93]
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期刊论文 [90]
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专题:半导体研究所
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Performance comparison of front- and back-illuminated modes of the AlGaN-based p-i-n solar-blind ultraviolet photodetectors
期刊论文
OAI收割
journal of vacuum science & technology b, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2014, 2014, 卷号: 32, 32, 期号: 3, 页码: 031204, 031204
作者:
Li, XJ
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Liu, ZS
;
Chen, P
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提交时间:2015/04/02
Suppression of electron leakage by inserting a thin undoped InGaN layer prior to electron blocking layer in InGaN-based blue-violet laser diodes
期刊论文
OAI收割
optics express, OPTICS EXPRESS, 2014, 2014, 卷号: 22, 22, 期号: 10, 页码: 11392-11398, 11392-11398
作者:
Le, LC
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Yang, H
;
Chen, P
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提交时间:2015/03/25
Investigation on the compensation effect of residual carbon impurities in low temperature grown Mg doped GaN films
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 2014, 卷号: 115, 115, 期号: 16, 页码: 163704, 163704
作者:
Yang, J
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Zhu, JJ
;
Yang, H
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提交时间:2015/04/02
Characteristics of InGaN-based superluminescent diodes with one-sided oblique cavity facet
期刊论文
OAI收割
chinese science bulletin, CHINESE SCIENCE BULLETIN, 2014, 2014, 卷号: 59, 59, 期号: 16, 页码: 1903-1906, 1903-1906
作者:
Zeng, C
;
Zhang, SM
;
Liu, JP
;
Li, DY
;
Jiang, DS
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提交时间:2015/03/25
AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes grown on nano-patterned sapphire substrates with significant improvement in internal quantum efficiency
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2014, 2014, 卷号: 395, 395, 页码: 9-13, 9-13
作者:
Dong, P
;
Yan, JC
;
Zhang, Y
;
Wang, JX
;
Zeng, JP
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提交时间:2015/03/25
AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes grown on nano-patterned sapphire substrates with significant improvement in internal quantum efficiency
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2014, 2014, 卷号: 395, 395, 页码: 9-13, 9-13
作者:
Dong, P
;
Yan, JC
;
Zhang, Y
;
Wang, JX
;
Zeng, JP
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提交时间:2015/03/25
A High Power InGaN-Based Blue-Violet Laser Diode Array with a Broad-Area Stripe
期刊论文
OAI收割
chinese physics letters, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2013, 2013, 卷号: 30, 30, 期号: 10, 页码: 104205, 104205
作者:
Chen, P
;
Zhao, DG
;
Feng, MX
;
Jiang, DS
;
Liu, ZS
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提交时间:2014/04/09
Thermal analysis of GaN laser diodes in a package structure
期刊论文
OAI收割
chinese physics b, 2012, 卷号: 21, 期号: 8, 页码: 084209
Feng MX (Feng Mei-Xin)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Liu JP (Liu Jian-Ping)
;
Wang H (Wang Hui)
;
Zeng C (Zeng Chang)
;
Li ZC (Li Zeng-Cheng)
;
Wang HB (Wang Huai-Bing)
;
Wang F (Wang Feng)
;
Yang H (Yang Hui)
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提交时间:2013/04/02
Optimization of the cavity facet coating in high power GaN-based semiconductor laser diodes
期刊论文
OAI收割
science china-technological sciences, 2012, 卷号: 55, 期号: 4, 页码: 883-887
Feng, MX
;
Zhang, SM
;
Jiang, DS
;
Wang, H
;
Liu, JP
;
Zeng, C
;
Li, ZC
;
Wang, HB
;
Wang, F
;
Yang, H
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提交时间:2013/03/17
Thermal characterization of GaN-based laser diodes by forward-voltage method
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2012, 卷号: 111, 期号: 9, 页码: 94513
Feng, MX
;
Zhang, SM
;
Jiang, DS
;
Liu, JP
;
Wang, H
;
Zeng, C
;
Li, ZC
;
Wang, HB
;
Wang, F
;
Yang, H
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提交时间:2013/03/17