中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
半导体研究所 [2]
采集方式
OAI收割 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2020 [2]
学科主题
筛选
浏览/检索结果:
共2条,第1-2条
帮助
限定条件
发表日期:2020
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
发表日期升序
发表日期降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
Defect appearance on 4H-SiC homoepitaxial layers via molten KOH etching
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2020, 卷号: 531, 页码: 125359
作者:
X.F. Liu
;
G.G. Yan
;
L. Sang
;
Y.X. Niu
;
Y.W. He
;
Z.W. Shen
;
Z.X. Wen
;
J. Chen
;
W.S. Zhao
;
L. Wang
;
M. Guan
;
F. Zhang
;
G.S. Sun
;
Y.P. Zeng
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:34/0
  |  
提交时间:2021/11/26
Effect of C/Si ratio on growth of 4H-SiC epitaxial layers on on-axis and 4° off-axis substrates
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2020, 卷号: 531, 页码: 125362
作者:
G.G. Yan
;
Y.W. He
;
Z.W. Shen
;
Y.X. Cui
;
J.T. Li
;
W.S. Zhao
;
L. Wang
;
X.F. Liu
;
F. Zhang
;
G.S. Sun
;
Y.P. Zeng
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2021/11/26