机构

• 半导体研究所 [5]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [3]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 2012 [1]
• 2001 [4]

学科主题

• 半导体材料 [5]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Residual strains and optical properties of ZnO thin epilayers grown on r-sapphire planes 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2012, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 35008 Zheng, CC; Xu, SJ; Ning, JQ; Bao, W; Wang, JF; Gao, J; Liu, JM; Zhu, JH; Liu, XL 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/03/17 Current-induced migration of surface adatoms during GaN growth by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 376-380 Zheng LX; Xie MH; Xu SJ; Cheung SH; Tong SY 收藏  |  浏览/下载：80/5  |  提交时间：2010/08/12 surface processes  molecular beam epitaxy  nitrides  semiconducting gallium compounds  GAN(0001) SURFACES  RECONSTRUCTIONS   Defect states in cubic GaN epilayer grown on GaAs by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 physica status solidi a-applied research, 2001, 卷号: 188, 期号: 2, 页码: 681-685 Xu SJ; Or CT; Li Q; Zheng LX; Xie MH; Tong SY; Yang H 收藏  |  浏览/下载：77/12  |  提交时间：2010/08/12 OPTICAL-TRANSITIONS  PHOTOLUMINESCENCE   Current-induced migration of surface adatoms during GaN growth by molecular beam epitaxy 会议论文  OAI收割 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 Zheng LX; Xie MH; Xu SJ; Cheung SH; Tong SY 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/15 surface processes  molecular beam epitaxy  nitrides  semiconducting gallium compounds  GAN(0001) SURFACES  RECONSTRUCTIONS   Defect states in cubic GaN epilayer grown on GaAs by metalorganic vapor phase epitaxy 会议论文  OAI收割 4th international conference on nitride semiconductors (icns-4), denver, colorado, jul 16-20, 2001 Xu SJ; Or CT; Li Q; Zheng LX; Xie MH; Tong SY; Yang H 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/15 OPTICAL-TRANSITIONS  PHOTOLUMINESCENCE