机构

• 半导体研究所 [4]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2021 [1]
• 2020 [1]
• 2015 [2]

学科主题

• 半导体物理 [2]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Physical properties and structure characteristics of titanium-modified antimony-selenium phase change thin film 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2021, 卷号: 118, 期号: 8, 页码: 81903 作者:  Wu, Weihua;   Sun, Yuemei;   Zhu, Xiaoqin;   Shen, Bo;   Zhai, Jiwei;   Yue, Zhenxing   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2022/09/30 Tunable Room-Temperature Ferromagnetism in Two-Dimensional Cr2Te3 期刊论文  OAI收割 NANO LETTERS, 2020, 卷号: 20, 期号: 5, 页码: 3130-3139 作者:  Yao Wen;   Zhehong Liu;   Yu Zhang;   Congxin Xia;   Baoxing Zhai;   Xinhui Zhang;   Guihao Zhai;   Chao Shen;   Peng He;   Ruiqing Cheng;   Lei Yin;   Yuyu Yao;   Marshet Getaye Sendeku;   Zhenxing Wang;   Xubing Ye;   Chuansheng Liu;   Chao Jiang;   Chongxin Shan;   Youwen Long;   Jun He   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2021/06/22 Sulfur vacancy activated field effect transistors based on ReS2 nanosheets 期刊论文  OAI收割 Nanoscale, 2015, 卷号: 7, 期号: 38, 页码: 15757-15762 Kai Xu; Hui-Xiong Deng; Zhenxing Wang; Yun Huang; Feng Wang; Shu-Shen Li; Jun-Wei Luo; Jun He 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2016/04/08 Sulfur vacancy activated field effect transistors based on ReS2 nanosheets 期刊论文  OAI收割 nanoscale, 2015, 卷号: 7, 期号: 38, 页码: 15757-15762 Kai Xu; Hui-Xiong Deng; Zhenxing Wang; Yun Huang; Feng Wang; Shu-Shen Li; Jun-Wei Luo; Jun He 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2016/03/29