机构

• 金属研究所 [3]
• 物理研究所 [1]
• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 1992 [5]

学科主题

• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：1992     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 FORMATION OF NANOCRYSTALLINE FE/SIC COMPOSITE BY MECHANICAL ALLOYING 期刊论文  OAI收割 Journal of Materials Science Letters, 1992, 卷号: 11, 期号: 23, 页码: 1576-1578 T. D. Shen; K. Y. Wang; M. X. Quan; J. T. Wang 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2012/04/14 silicon-carbide  metals  microstructure   AMORPHOUS PHASE-TRANSITION MECHANISM BY THE MECHANICAL ALLOYING OF THE FE-W SYSTEM 期刊论文  OAI收割 Journal of Applied Physics, 1992, 卷号: 71, 期号: 4, 页码: 1967-1971 T. D. Shen; K. Y. Wang; M. X. Quan; J. T. Wang 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2012/04/14 glass-formation  powders  amorphization  crystal  silicon  model   AN EPR STUDY ON PROTON-IMPLANTED DEFECT IN FZ-SILICON 期刊论文  OAI收割 Science in China Series a-Mathematics Physics Astronomy, 1992, 卷号: 35, 期号: 4, 页码: 437-442 E. Wu; X. C. Xi; X. T. Lu; D. Y. Shen; X. M. Wang; G. G. Qin 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2012/04/14 defects  epr  ir absorption peak  hyperfine splitting  proton-implantation  neutron-irradiated silicon  charge state  hydrogen   TEM OBSERVATION OF GAAS ON SI(100) GROWN BY MBE 期刊论文  OAI收割 VACUUM, 1992, 卷号: 43, 期号: 11, 页码: 1055 ZHOU, JM; CHEN, H; LI, FH; LIU, S; MEI, XB; HUANG, Y 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2013/09/23 GALLIUM-ARSENIDE  SILICON   35-PERCENT EFFICIENT NONCONCENTRATING NOVEL SILICON SOLAR-CELL 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 1992, 卷号: 60, 期号: 18, 页码: 2240-2242 LI JM; CHONG M; ZHU JC; LI YJ; XU JD; WANG PD; SHANG ZQ; YANG ZK; ZHU RH; CAO XL 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2010/11/15 AMORPHOUS SILICON