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机构
半导体研究所 [4]
采集方式
OAI收割 [3]
iSwitch采集 [1]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2009 [2]
2001 [1]
1993 [1]
学科主题
半导体物理 [3]
筛选
浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
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限定条件
专题:半导体研究所
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第一作者单位
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条数/页:
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Observation of the surface circular photogalvanic effect in inn films
期刊论文
iSwitch采集
Solid state communications, 2009, 卷号: 149, 期号: 25-26, 页码: 1004-1007
作者:
Zhang, Z.
;
Zhang, R.
;
Xie, Z. L.
;
Liu, B.
;
Li, M.
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
Inn
Surface charge accumulation layer
Spin-dependent current
Spin splitting
Observation of the surface circular photogalvanic effect in InN films
期刊论文
OAI收割
solid state communications, 2009, 卷号: 149, 期号: 25-26, 页码: 1004-1007
Zhang Z
;
Zhang R
;
Xie ZL
;
Liu B
;
Li M
;
Fu DY
;
Fang HN
;
Xiu XQ
;
Lu H
;
Zheng YD
;
Chen YH
;
Tang CG
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:158/1
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提交时间:2010/03/08
InN
Surface charge accumulation layer
Spin-dependent current
Spin splitting
Longitudinal optic phonon-plasmon coupling in delta-doped metamorphic InAlAs/InGaAs high-electron-mobility transistor structures on GaAs substrates
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2001, 卷号: 79, 期号: 9, 页码: 1375-1377
Jiang CP
;
Huang ZM
;
Li ZF
;
Yu J
;
Guo SL
;
Lu W
;
Chu JH
;
Cui LJ
;
Zeng YP
;
Zhu ZP
;
Wang BQ
收藏
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浏览/下载:76/2
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提交时间:2010/08/12
QUANTUM-WELLS
ACCUMULATION LAYER
RAMAN-SCATTERING
EXCITATIONS
GA1-XINXAS
SPECTRA
SELF-CONSISTENT TREATMENT OF 3-DIMENSIONAL - 2-DIMENSIONAL AND 2-DIMENSIONAL - 2-DIMENSIONAL RESONANT-TUNNELING IN DOUBLE-BARRIER STRUCTURES
期刊论文
OAI收割
physical review b, 1993, 卷号: 48, 期号: 7, 页码: 4575-4585
ZHU BF
;
HUANG K
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/11/15
SPACE-CHARGE BUILDUP
INTRINSIC BISTABILITY
DEVICES
DIODES
HETEROSTRUCTURES
ACCUMULATION
MODEL