机构

• 半导体研究所 [8]

采集方式

• OAI收割 [8]

内容类型

• 期刊论文 [8]

发表日期

• 2009 [8]

学科主题

• 半导体物理 [8]

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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理    发表日期：2009     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Effect of counterpart on the tribological behavior and tribo-induced phase transformation of Si 期刊论文  OAI收割 tribology international, 2009, 卷号: 42, 期号: 5, 页码: 628-633 Li XC; Lu JJ; Yang SR 收藏  |  浏览/下载：59/24  |  提交时间：2010/03/08 Single crystal silicon  Phase transformation  Friction coefficient  Wear  Tribological counterpart   Electrically Pumped Room-Temperature Pulsed InGaAsP-Si Hybrid Lasers Based on Metal Bonding 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: art. no. 064211 作者:  Wang Y;  Pan JQ 收藏  |  浏览/下载：112/0  |  提交时间：2010/03/08 CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION  WAVE-GUIDE CIRCUIT  DOUBLE HETEROSTRUCTURES  SILICON SUBSTRATE  CW OPERATION  WAFER  DEVICES  FILMS   Electronic and Mechanical Coupling in Bent ZnO Nanowires 期刊论文  OAI收割 advanced materials, 2009, 卷号: 21, 期号: 48, 页码: 4937 Han XB; Kou LZ; Lang XL; Xia JB; Wang N; Qin R; Lu J; Xu J; Liao ZM; Zhang XZ; Shan XD; Song XF; Gao JY; Guo WL; Yu DP 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/04/04 QUANTUM WIRES  SI SUBSTRATE  STRAIN  ARRAYS  PHOTOLUMINESCENCE  SILICON   Controlling electronic structures by irradiation in single-walled SiC nanotubes: a first-principles molecular dynamics study 期刊论文  OAI收割 nanotechnology, 2009, 卷号: 20, 期号: 7, 页码: art. no. 075708 作者:  Li JB 收藏  |  浏览/下载：164/21  |  提交时间：2010/03/08 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  SILICON-CARBIDE NANOTUBES  FORMATION ENERGIES  CARBON NANOTUBES  BORON-NITRIDE  NANOWIRES  COMPOSITES  DEFECTS  FUSION   Room temperature photoluminescence of tensile-strained Ge/Si0.13Ge0.87 quantum wells grown on silicon-based germanium virtual substrate 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 14, 页码: art. no. 141902 Chen YH; Li C; Zhou ZW; Lai HK; Chen SY; Ding WC; Cheng BW; Yu YD 收藏  |  浏览/下载：92/14  |  提交时间：2010/03/08 chemical vapour deposition  elemental semiconductors  energy gap  germanium  Ge-Si alloys  photoluminescence  semiconductor epitaxial layers  semiconductor quantum wells  silicon  tensile strength   Silicon nanopore array structure using porous anodic alumina 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 7, 页码: 4997-5001 作者:  Xue CL;  Su SJ 收藏  |  浏览/下载：61/2  |  提交时间：2010/03/08 porous anodic alumina mask  silicon nanopore array structure  pattern transfer   Enhanced infrared emission from colloidal HgTe nanocrystal quantum dots on silicon-on-insulator photonic crystals 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 5, 页码: art. no. 053107 作者:  Tan PH;  Liu J 收藏  |  浏览/下载：61/1  |  提交时间：2010/03/08 colloidal crystals  II-VI semiconductors  infrared spectra  mercury compounds  nanostructured materials  photoluminescence  photonic crystals  semiconductor quantum dots  silicon-on-insulator   Role of edge dislocation and Si impurity in linking the blue luminescence and yellow luminescence in n-type GaN films 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 4, 页码: art. no. 041901 作者:  Yang H;  Wang H;  Wang H;  Wang YT;  Yang H 收藏  |  浏览/下载：64/1  |  提交时间：2010/03/08 edge dislocations  gallium compounds  III-V semiconductors  impurities  photoluminescence  semiconductor doping  semiconductor thin films  silicon  wide band gap semiconductors  X-ray diffraction