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机构
上海微系统与信息技术... [9]
采集方式
OAI收割 [9]
内容类型
期刊论文 [9]
发表日期
2005 [1]
2004 [1]
2002 [1]
2000 [1]
1996 [1]
1995 [3]
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学科主题
Physics [9]
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共9条,第1-9条
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学科主题:Physics
专题:上海微系统与信息技术研究所
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Effects of the technology of implanting nitrogen into buried oxide layer on the characteristics of partially depleted SOI nMOSFET
期刊论文
OAI收割
ACTA PHYSICA SINICA, 2005, 卷号: 54, 期号: 1, 页码: 348-353
Zheng, ZS
;
Liu, ZL
;
Zhang, GQ
;
Li, N
;
Fan, K
;
Zhang, EX
;
Yi, WB
;
Chen, M
;
Wang, X
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提交时间:2012/03/24
SILICON
SCATTERING
INVERSION
MOBILITY
DEVICES
Effect of hydrogen implantation on SIMOX SOI materials
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2004, 卷号: 21, 期号: 1, 页码: 149-152
Yi,WB
;
Chen,J
;
Chen,M
;
Wang,X
;
Zou,SC
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提交时间:2012/03/24
SILICON
OXYGEN
SEPARATION
AlN thin films grown by ion-beam-enhanced deposition and its application to SOI materials
期刊论文
OAI收割
PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 2002, 卷号: 324, 期号: 1-4, 页码: 229-234
Men,CL
;
Xu,Z
;
An,ZH
;
Xie,XY
;
Zhang,M
;
Lin,CL
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提交时间:2012/03/24
SILICON
Growth of biaxially textured yttria-stabilized zirconia thin films on Si(111) substrate by ion beam assisted deposition
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2000, 卷号: 17, 期号: 3, 页码: 221-223
Mu,HC
;
Ren,CX
;
Jiang,BY
;
Ding,XZ
;
Yu,YH
;
Wang,X
;
Liu,XH
;
Zhou,GE
;
Jia,YB
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提交时间:2012/03/24
BA-CU-O
HIGH CRITICAL CURRENTS
BUFFER LAYERS
SUPERCONDUCTING FILMS
SILICON
YBA2CU3O7-DELTA
BOMBARDMENT
SI
ORIENTATION
DIOXIDE
Structural properties of carbon nitride films prepared by high dose nitrogen implantation into carbon thin films
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1996, 卷号: 79, 期号: 5, 页码: 2364-2368
Xin,HP
;
Lin,CL
;
Xu,WP
;
Wang,LW
;
Zou,SC
;
Wu,XL
;
Shi,XH
;
Zhu,H
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提交时间:2012/03/25
SILICON-NITRIDE
ION-BEAMS
SURFACES
N+
Reactive deposition epitaxial growth of beta-FeSi2 film on Si(001): In situ observation by reflective high energy electron diffraction
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS LETTERS, 1995, 卷号: 12, 期号: 10, 页码: 613-616
Wang,LW
;
Lin,CL
;
Shen,QW
;
Ni,RS
;
Zou,SC
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提交时间:2012/03/25
001 SILICON
DISILICIDE
FORMATION OF COVALENT SOLID CNX COMPOUNDS BY HIGH-DOSE NITROGEN IMPLANTATION INTO CARBON THIN-FILMS
期刊论文
OAI收割
APPLIED PHYSICS LETTERS, 1995, 卷号: 66, 期号: 24, 页码: 3290-3291
XIN,HP
;
XU,WP
;
SHI,XH
;
ZHU,H
;
LIN,CL
;
Zou,SC
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提交时间:2012/03/25
STRUCTURAL-PROPERTIES
SILICON-NITRIDE
ION-BEAMS
SURFACES
N+
REACTIVE DEPOSITION EPITAXIAL-GROWTH OF BETA-FESI2 FILM ON SI(111) - IN-SITU OBSERVATION BY REFLECTIVE HIGH-ENERGY ELECTRON-DIFFRACTION
期刊论文
OAI收割
APPLIED PHYSICS LETTERS, 1995, 卷号: 66, 期号: 25, 页码: 3453-3455
WANG,LW
;
LIN,CG
;
SHEN,QW
;
LIN,X
;
NI,RS
;
Zou,SC
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提交时间:2012/03/25
001 SILICON
THE 2-DIMENSIONAL PAIR CORRELATION-FUNCTION FOR THE SI(001) SURFACE - COMPUTER-SIMULATION RESULTS
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, 1994, 卷号: 6, 期号: 6, 页码: 1083-1088
JIA,ZM
;
YANG,GQ
;
CHENG,ZN
;
LIU,XH
;
Zou,SC
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提交时间:2012/03/25
SILICON
MODEL
SI(100)-(2X1)
FLUIDS
ENERGY