机构

• 半导体研究所 [3]

采集方式

• iSwitch采集 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2005 [3]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 存缴方式：iswitch    发表日期：2005    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Crack-free gan/si(111) epitaxial layers grown with inalgan alloy as compliant interlayer by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2005, 卷号: 279, 期号: 3-4, 页码: 335-340 作者:  Wu, JJ;  Han, XX;  Li, JM;  Li, DB;  Lu, Y 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Cracks  (111) substrate  Stresses  Metalorganic chemical vapor deposition  Gan  Inalgan buffer   Depth dependent elastic strain in zno epilayer: combined rutherford backscattering/channeling and x-ray diffraction 期刊论文  iSwitch采集 Nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 2005, 卷号: 229, 期号: 2, 页码: 246-252 作者:  Feng, ZX;  Yao, SD;  Hou, L;  Jin, RQ 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Rutherford backscattering/channeling  Elastic strain  Tetragonal distortion  Lattice mismatich   Comparison of the properties of gan grown on complex si-based structures 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2005, 卷号: 86, 期号: 8, 页码: 3 作者:  Zhou, SQ;  Vantomme, A;  Zhang, BS;  Yang, H;  Wu, MF 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/12