中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页 机构 成果 学者
  
  1. CAS IR Grid
机构
采集方式
  • OAI收割 [14]
内容类型
  • 会议论文 [14]
发表日期
学科主题
筛选

浏览/检索结果: 共14条，第1-10条 帮助

限定条件        
条数/页： 排序方式：
SOI总剂量效应研究进展 会议论文  OAI收割
作者:  卜建辉;  赵发展;  刘刚;  刘梦新;  韩郑生
  |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/09/07
辐射加固SOI工艺FPGA的设计与验证 会议论文  OAI收割
作者:  于芳;  韩小炜;  吴利华;  刘忠立;  赵岩
  |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/11/10
应用于单粒子效应实验的存储单元可测性技术研究 会议论文  OAI收割
作者:  赵发展;  王一奇;  韩郑生;  刘刚;  卜建辉
  |  收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/09/07
CCD的总剂量效应及加固方法研究 会议论文  OAI收割
第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议, 三亚, 2011
作者:  郭旗;  李豫东
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/04/09
应用埋氧层注氮工艺对SIMOX SOI材料辐射加固的研究 会议论文  OAI收割
第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会, 2011
郑中山; 刘忠立; 张国强; 李宁; 李国花; 张恩霞; 张正选; 王曦
收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2012/01/18
国产工艺的部分耗尽SOIPMOSFET总剂量辐照及退火效应研究 会议论文  OAI收割
中国核学会2009年学术年会, 北京, 2009
作者:  余学峰
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2013/04/09
不同发射极面积NPN晶体管高低剂量率辐射损伤特性 会议论文  OAI收割
第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会, 沈阳, 2009
作者:  陆妩;  郭旗;  余学锋;  何承发
收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2013/04/09
抗辐射加固封装国产存储器电子辐照试验研究 会议论文  OAI收割
第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会, 沈阳, 2009
作者:  郭旗;  文林
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2013/04/09
用Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管表征SIMOX SOI材料的抗总剂量辐射能力 会议论文  OAI收割
第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会, 2009
毕大炜; 张正选; 张帅; 俞文杰; 陈明
收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2012/01/18
注硅改性SIMOX材料的总剂量效应研究 会议论文  OAI收割
第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会, 2009
张帅; 张正选; 毕大炜; 陈明
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/01/18