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苏州纳米技术与纳米... [12]
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OAI收割 [12]
内容类型
期刊论文 [10]
会议论文 [2]
发表日期
2016 [2]
2015 [2]
2014 [3]
2013 [2]
2012 [1]
2011 [2]
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专题:苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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Plasmonic terahertz modulator based on a grating-coupled two-dimensional electron system
期刊论文
OAI收割
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016, 卷号: 109, 期号: 20
作者:
Huang, YD(黄永丹)
;
Yu, Y(余耀)
;
Qin, H(秦华)
;
Sun, JD(孙建东)
;
Zhang, ZP(张志鹏)
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提交时间:2017/03/11
Normally-off p-GaN/AlGaN/GaN high electron mobility transistors using hydrogen plasma treatment
期刊论文
OAI收割
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016, 卷号: 109, 期号: 15
作者:
Hao, RH
;
Fu, K(付凯)
;
Yu, GH(于国浩)
;
Li, WY
;
Yuan, J
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2017/03/11
Growth condition optimization and mobility enhancement through prolonging the GaN nuclei coalescence process of AlGaN/AlN/GaN structure
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 9, 页码: 4
作者:
He, XG
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Zhu, JJ
;
Chen, P
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提交时间:2015/12/31
high electron mobility transistor
two-dimensional electron gas
GaN
The effect of symmetry on resonant and nonresonant photoresponses in a field-effect terahertz detector
期刊论文
OAI收割
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2015, 卷号: 106, 期号: 3, 页码: 5
作者:
Sun, JD(孙建东)
;
Qin, H(秦华)
;
Lewis, RA
;
Yang, XX(杨昕昕)
;
Sun, YF(孙云飞)
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2015/12/31
Control of residual carbon concentration in GaN high electron mobility transistor and realization of high-resistance GaN grown by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
OAI收割
THIN SOLID FILMS, 2014, 卷号: 564, 期号: 0, 页码: 135-139
作者:
Yang H(杨辉)
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2014/12/02
Carbon impurity
Metalorganic chemical vapor deposition
High-resistance gallium nitride
High electron mobility transistors
Research on biomolecule-gate AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor biosensors
期刊论文
OAI收割
ACTA PHYSICA SINICA, 2014, 卷号: 63, 期号: 7
作者:
Wu, DM (吴东岷)
;
Li, JD (李加东)
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提交时间:2015/02/03
two-dimensional electron gas
high electron mobility transistor
biosensor
prostate specific antigen
Demonstration of Normally-Off Recess-Gated AlGaN/GaN MOSFET Using GaN Cap Layer as Recess Mask
期刊论文
OAI收割
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2014, 卷号: 35, 期号: 12, 页码: 1197-1199
作者:
Cai, Y (蔡勇)
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提交时间:2015/02/03
Self-terminating
normally-off
AlGaN/GaN MOSFET
GaN cap layer
gate recess
recess mask
Excitation of terahertz plasmon-polariton in a grating coupled two-dimensional electron gas with a Fabry-Perot cavity
期刊论文
OAI收割
PPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 卷号: 102, 期号: 25
作者:
Zhang, BS(张宝顺)
;
Qin, H(秦华)
;
Huang, YD(黄永丹)
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提交时间:2014/01/13
Terahertz plasmon polariton formed in a Fabry-Perot cavity and a grating-coupled two-dimensional electron gas
会议论文
OAI收割
5th International Symposium on Photoelectronic Detection and Imaging (ISPDI) - Terahertz Technologies and Applications, Beijing, PEOPLES R CHINA, JUN 25-27, 2013
作者:
Huang, YD(黄永丹)
;
Zhang, BS(张宝顺)
;
Qin, H(秦华)
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2014/01/15
2D plasmons
Fabry-Perot cavity
Terahertz time-domain spectroscopy
GaN/AlGaN heterostructure
Two-dimensional electron transport in AlGaN/GaN heterostructures
期刊论文
OAI收割
Physica B, 2012, 卷号: 407, 期号: 21, 页码: 4277-4280
作者:
Hua Qin(秦华)
;
Hua Qin(秦华)
;
Yu Zhou(周宇)
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提交时间:2013/01/16
Two-dimensional electron gas
GaN
Drift velocity
Electron temperature