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新疆理化技术研究所 [49]
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OAI收割 [49]
内容类型
学位论文 [26]
期刊论文 [16]
会议论文 [4]
专利 [3]
发表日期
2022 [1]
2021 [3]
2020 [5]
2019 [7]
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共49条,第1-10条
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存缴方式:oaiharvest
专题:新疆理化技术研究所
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第一作者单位
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磷化铟高电子迁移率晶体管外延结构材料抗电子辐照加固设计
期刊论文
OAI收割
物理学报, 2022, 卷号: 71, 期号: 3, 页码: 290-297
作者:
周书星1
;
方仁凤1
;
魏彦锋1
;
陈传亮1
;
曹文彧1
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2022/02/18
磷化铟高电子迁移率晶体管
二维电子气
电子束辐照
辐射加固
碳化硅功率MOSFET的工作状态对电离辐射损伤特性的影响研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:
杨圣
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2021/08/27
SiC功率MOSFET
电离总剂量效应
高功率
开关频率
长期可靠性
一种抗辐射加固SOI材料的总剂量辐射性能评估方法
专利
OAI收割
申请日期: 2021-02-19,
作者:
郑齐文
;
崔江维
;
余学峰
;
李豫东
;
郭旗
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2021/12/02
模拟数字转换器AD574总剂量和单粒子翻转的协合效应
期刊论文
OAI收割
辐射研究与辐射工艺学报, 2021, 卷号: 39, 期号: 4, 页码: 93-98
作者:
相传峰1,2,3
;
姚帅2,3,4
;
于新2,3
;
李小龙2,3
;
陆妩1,2,3
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2021/09/07
模拟数字转换器
总剂量效应
单粒子翻转
协合效应
背照式CMOS图像传感器的累积辐射效应研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:
张翔
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浏览/下载:147/0
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提交时间:2020/11/19
背照式CMOS 图像传感器
总剂量效应
位移损伤效应
稀氮(Ga(In)AsN)材料的位移损伤效应研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:
雷琪琪
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2020/11/19
稀氮
Ga(In)AsN材料
光致发光
辐射损伤效应
退火
一种基于阈值电压类型匹配的6-T存储单元抗总剂量加固方法
专利
OAI收割
申请日期: 2020-04-14,
作者:
郑齐文
;
崔江维
;
余学峰
;
陆妩
;
孙静
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提交时间:2020/11/25
CMOS图像传感器单粒子效应及加固技术研究进展
期刊论文
OAI收割
核技术, 2020, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 50-58
作者:
蔡毓龙
;
李豫东
;
文林
;
郭旗
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2020/03/13
CMOS图像传感器
单粒子效应
抗辐射加固技术
空间辐射
电离总剂量效应对4T CMOS图像传感器暗电流影响的数值仿真
期刊论文
OAI收割
数值计算与计算机应用, 2020, 卷号: 41, 期号: 2, 页码: 143-150
作者:
魏莹
;
文林
;
李豫东
;
郭旗
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2020/09/07
CMOS图像传感器
电离总剂量辐射效应
TCAD仿真
130nm部分耗尽绝缘体上硅工艺晶体管总剂量效应及模型研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:
席善学
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/07/15
总剂量效应
部分耗尽
浅槽隔离
模型