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机构
半导体研究所 [3]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
期刊论文 [2]
会议论文 [1]
发表日期
1999 [3]
学科主题
半导体材料 [3]
筛选
浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
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限定条件
发表日期:1999
学科主题:半导体材料
条数/页:
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Photoluminescence study on coarsening of self-assembled InAlAs quantum dots on GaAs (001)
会议论文
OAI收割
40th electronic materials conference (emc-40), charlottesville, virginia, jun 24-26, 1998
作者:
Xu B
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提交时间:2010/11/15
bimodal distribution
photoluminescence (PL)
quantum-size effect
GE
ENSEMBLES
SI(100)
GROWTH
SHAPE
Photoluminescence study on coarsening of self-assembled InAlAs quantum dots on GaAs (001)
期刊论文
OAI收割
journal of electronic materials, 1999, 卷号: 28, 期号: 5, 页码: 528-531
作者:
Xu B
收藏
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2010/08/12
bimodal distribution
photoluminescence (PL)
quantum-size effect
ENSEMBLES
SI(100)
GROWTH
SHAPE
GE
Structural characterization of InGaAs/GaAs quantum dots superlattice infrared photodetector structures
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 1999, 卷号: 200, 期号: 3-4, 页码: 375-381
Zhuang QD
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Pan L
;
Li HX
;
Kong MY
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:27/0
  |  
提交时间:2010/08/12
InGaAs/GaAs
quantum dots
superlattice
structure
TEM
X-ray
ISLANDS
GROWTH
GAAS
MULTILAYERS
SURFACES
X-RAY-DIFFRACTION