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  • 西安光学精密机械研究... [4]
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  • 1999 [4]
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Stress compensation type semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: US5903587, 申请日期: 1999-05-11, 公开日期: 1999-05-11
作者:  
MIYASHITA, MOTOHARU
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所定の位相差を生じさせる光学ガラス部材及び製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2904541B2, 申请日期: 1999-03-26, 公开日期: 1999-06-14
作者:  
藤田 幹明
  |  收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2019/12/23
半導体量子井戸レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP2890505B2, 申请日期: 1999-02-26, 公开日期: 1999-05-17
作者:  
岩田 普
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半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP2889645B2, 申请日期: 1999-02-19, 公开日期: 1999-05-10
作者:  
浜田 弘喜
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