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半导体研究所 [3]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
会议论文 [3]
发表日期
2006 [3]
学科主题
半导体材料 [3]
筛选
浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
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限定条件
发表日期:2006
学科主题:半导体材料
内容类型:会议论文
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The study of high temperature annealing of a-SiC : H films
会议论文
OAI收割
3rd international materials symposium/12th meeting of the sociedad-portuguesa-da-materials (materials 2005/spm), aveiro, portugal, mar 20-23, 2005
Zhang, S
;
Hu, Z
;
Raniero, L
;
Liao, X
;
Ferreira, I
;
Fortunato, E
;
Vilarinho, P
;
Perreira, L
;
Martins, R
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浏览/下载:209/71
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提交时间:2010/03/29
silicon carbide
high temperature annealing
thin film
SILICON
PECVD
Optical and structural properties of ZnO films grown on Si(100) substrates by MOCVD - art. no. 60290G
会议论文
OAI收割
20th congress of the international-commission-for-optics, changchun, peoples r china, aug 21-26, 2005
Shen, WJ
;
Duan, Y
;
Wang, J
;
Wang, QY
;
Zeng, YP
收藏
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浏览/下载:95/18
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提交时间:2010/03/29
ZnO
MOCVD
thermal annealing
photoluminescence
x-ray diffraction
atomic force microscopy
PULSED-LASER DEPOSITION
THIN-FILMS
PHOTOLUMINESCENCE
MECHANISMS
EPITAXY
CVD
SI
Electron irradiation-induced defects in InP pre-annealed at high temperature
会议论文
OAI收割
11th conference on defects recognition imaging and physics in semiconductors, beijing, peoples r china, sep 13-19, 2005
Zhao, YW (Zhao, Y. W.)
;
Dong, ZY (Dong, Z. Y.)
;
Deng, AH (Deng, A. H.)
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浏览/下载:158/28
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提交时间:2010/03/29
indium phosphide