机构

• 半导体研究所 [5]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [3]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 2008 [5]

学科主题

• 光电子学 [5]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2008    学科主题：光电子学     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 High-temperature AlN interlayer for crack-free AlGaN growth on GaN 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2008, 卷号: 104, 期号: 4, 页码: art. no. 043516 Sun, Q; Wang, JT; Wang, H; Jin, RQ; Jiang, DS; Zhu, JJ; Zhao, DG; Yang, H; Zhou, SQ; Wu, MF; Smeets, D; Vantomme, A 收藏  |  浏览/下载：73/0  |  提交时间：2010/03/08 STRESS  SI(111)  REDUCTION  THICKNESS   Optical and Electrical Properties of GaN.Mg Grown by MOCVD 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 1, 页码: 29-32 作者:  Zhang Shuming 收藏  |  浏览/下载：138/36  |  提交时间：2010/11/23 Investigation on the structural origin of n-type conductivity in InN films 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 13, 页码: art. no. 135403 Wang, H; Jiang, DS; Wang, LL; Sun, X; Liu, WB; Zhao, DG; Zhu, JJ; Liu, ZS; Wang, YT; Zhang, SM; Yang, H 收藏  |  浏览/下载：53/1  |  提交时间：2010/03/08 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAN FILMS  DISLOCATION SCATTERING  LAYER THICKNESS  INDIUM NITRIDE  BAND-GAP  VACANCIES   Characterization of bulk ZnO single crystal grown by a CVT method - art. no. 68410F 会议论文  OAI收割 conference on solid state lighting and solar energy technologies, beijing, peoples r china, nov 12-14, 2007 Wei, XC; Zhao, YW; Dong, ZY; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/03/09 zinc oxide  X-ray diffraction  defects  single crystal   Native deep level defects in ZnO single crystal grown by CVT method - art. no. 68410I 会议论文  OAI收割 conference on solid state lighting and solar energy technologies, beijing, peoples r china, nov 12-14, 2007 Zhao, YW; Zhang, F; Zhang, R; Dong, ZY; Wei, XC; Zeng, YP; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/03/09 zinc oxide  defect  vacancy