机构

• 半导体研究所 [11]

采集方式

• OAI收割 [11]

内容类型

• 期刊论文 [11]

发表日期

• 2009 [11]

学科主题

• 光电子学 [3]
• 半导体材料 [3]
• 半导体物理 [3]
• 半导体化学 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2009    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Ordered Zinc Antimonate Nanoisland Attachment and Morphology Control of ZnO Nanobelts by Sb Doping 期刊论文  OAI收割 journal of physical chemistry c, 2009, 卷号: 113, 期号: 22, 页码: 9638-9643 Cheng BC; Tian BX; Sun W; Xiao YH; Lei SJ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：92/0  |  提交时间：2010/03/08 DOPED ZNO  QUANTUM DOTS  PHOTOLUMINESCENCE  GROWTH  OXIDES  NANOSTRUCTURES  SEMICONDUCTORS  RECOMBINATION  NANOPARTICLES  NANOCRYSTALS   Stable multiplication gain in GaN p-i-n avalanche photodiodes with large device area 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 1, 页码: art. no. 015108 作者:  Wang H;  Zhao DG;  Zhang SM;  Yang H;  Yang H 收藏  |  浏览/下载：169/40  |  提交时间：2010/03/08 SURFACE-MORPHOLOGY  DETECTORS  GROWTH   Mn-AlInN: a new diluted magnetic semiconductor 期刊论文  OAI收割 applied physics a-materials science & processing, 2009, 卷号: 96, 期号: 4, 页码: 979-984 Majid A; Sharif R; Zhu JJ; Ali A 收藏  |  浏览/下载：67/4  |  提交时间：2010/03/08 FILMS  GROWTH  GAN  CR   Kinetically controlled InN nucleation on GaN templates by metalorganic chemical vapour deposition 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 14, 页码: art. no. 145410 作者:  Zhang SM;  Yang H;  Yang H;  Wang YT;  Zhu JJ 收藏  |  浏览/下载：73/0  |  提交时间：2010/03/08 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  PHASE EPITAXY  QUANTUM DOTS  BAND-GAP  GROWTH  SURFACES   Molecular Beam Epitaxy of GaSb on GaAs Substrates with AlSb Buffer Layers 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: art. no. 018101 作者:  Xu YQ;  Tang B 收藏  |  浏览/下载：221/40  |  提交时间：2010/03/08 SURFACE-MORPHOLOGY  GROWTH  SUPERLATTICES  HETEROSTRUCTURES  TEMPERATURE  DETECTORS  GAAS(100)  FILMS  INAS  INSB   Structural and optical properties of ZnO films on SrTiO3 substrates by MOCVD 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 1, 页码: art. no. 015415 作者:  Jia CH 收藏  |  浏览/下载：173/14  |  提交时间：2010/03/08 PULSED-LASER DEPOSITION  THIN-FILMS  ZINC-OXIDE  PHOTOLUMINESCENCE  TEMPERATURE  SAPPHIRE  SURFACE  GROWTH   Anomalous coarsening of self-assembled InAs quantum dots on vicinal GaAs (100) substrates 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 5, 页码: art. no. 055310 作者:  Ye XL;  Pan JQ;  Liang S 收藏  |  浏览/下载：128/30  |  提交时间：2010/03/08 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MULTIATOMIC STEPS  ISLANDS  GROWTH  FABRICATION  EPITAXY   Shape stability of InAs self-assembled islands on vicinal GaAs(001) substrates 期刊论文  OAI收割 chemical physics letters, 2009, 卷号: 468, 期号: 4-6, 页码: 249-252 作者:  Liang S 收藏  |  浏览/下载：121/25  |  提交时间：2010/03/08 QUANTUM-DOTS  TRANSITION  GAAS(100)  GROWTH  GAAS   Strain-induced anodization of SiGe/Si multiple layers to form high density SiGe/Si heterogeneous nanorods 期刊论文  OAI收割 solid state communications, 2009, 卷号: 149, 期号: 43-44, 页码: 1897-1901 Zhou B; Pan SW; Chen R; Chen SY; Li C; Lai HK; Yu; JZ; Zhu XF 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/04/04 Strain-induced  Electrochemical anodization  Silicon germanium  Heterogeneous nanostructures  POROUS SILICON LAYER  VISIBLE PHOTOLUMINESCENCE  SURFACE-MORPHOLOGY  THIN-FILMS  SI  GERMANIUM  SUPERLATTICES  NANOCRYSTALS  RELAXATION  GROWTH   Improvement in crystal quality of ZnO film on Si substrate by using a homo-buffer layer 期刊论文  OAI收割 materials science in semiconductor processing, 2009, 卷号: 12, 期号: 6, 页码: 233-237 作者:  Zhao J 收藏  |  浏览/下载：44/4  |  提交时间：2011/07/05 ZnO  Pulsed laser deposition  X-ray diffraction  Photoluminescence  Reflection high-energy electron diffraction  PULSED-LASER DEPOSITION  THIN-FILMS  PLD TECHNIQUE  GROWTH  SAPPHIRE  TEMPERATURE