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  • 合肥物质科学研究院 [5]
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  • 2017 [5]
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Tunable inverted gap in monolayer quasi-metallic MoS2 induced by strong charge-lattice coupling 期刊论文  OAI收割
NATURE COMMUNICATIONS, 2017, 卷号: 8
作者:  Yin, Xinmao;  Wang, Qixing;  Cao, Liang;  Tang, Chi Sin;  Luo, Xin
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Tunable inverted gap in monolayer quasi-metallic MoS2 induced by strong charge-lattice coupling 期刊论文  OAI收割
NATURE COMMUNICATIONS, 2017, 卷号: 8
作者:  Yin, Xinmao;  Wang, Qixing;  Cao, Liang;  Tang, Chi Sin;  Luo, Xin
  |  收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2018/08/16
Interface chemistry and electronic structure of ALD-derived HfAlO/Ge gate stacks revealed by X-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文  OAI收割
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 卷号: 716, 期号: 无, 页码: 1-6
作者:  He, Gang;  Jiang, Shanshan;  Li, Wendong;  Zheng, Changyong;  He, Huaxin
收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2018/05/25
Modulation of interfacial and electrical properties of HfGdO/GaAs gate stacks by ammonium sulfide passivation and rapid thermal annealing 期刊论文  OAI收割
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 卷号: 704, 期号: 无, 页码: 322-328
作者:  Jiang, S. S.;  He, G.;  Liang, S.;  Zhu, L.;  Li, W. D.
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2018/07/04
Modulation of interfacial and electrical properties of ALD-derived HfAlO/Al2O3/Si gate stack by annealing temperature 期刊论文  OAI收割
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 卷号: 691, 期号: 无, 页码: 504-513
作者:  Gao, J.;  He, G.;  Liu, M.;  Lv, J. G.;  Sun, Z. Q.
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2017/11/21