机构

• 新疆理化技术研究所 [4]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [3]
• 学位论文 [1]

发表日期

• 2020 [4]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2020    专题：新疆理化技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 背照式CMOS图像传感器的累积辐射效应研究 学位论文  OAI收割 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020 作者:  张翔   |  收藏  |  浏览/下载：147/0  |  提交时间：2020/11/19 背照式CMOS 图像传感器  总剂量效应  位移损伤效应   1 meV electron irradiation and post-annealing effects of GaInAsN diluted nitride alloy with 1 eV bandgap energy 期刊论文  OAI收割 THIN SOLID FILMS, 2020, 卷号: 709, 期号: 9, 页码: 1-5 作者:  Sailai, M (Sailai, Momin)[ 1 ];  Lei, QQ (Lei, Qi Qi)[ 1,2 ];  Aierken, A (Aierken, Abuduwayiti)[ 1,3 ];  Heini, M (Heini, Maliya)[ 1,4 ];  Zhao, XF (Zhao, Xiao Fan)[ 1 ]   |  收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2020/10/23 Gallium indium arsenide nitride alloy  Electron irradiation  Photoluminescence  Thermal annealing  Arrhenius plot   Investigation of displacement damage to vertical-cavity surface-emitting red lasers due to 1 MeV electron radiation 期刊论文  OAI收割 AIP ADVANCES, 2020, 卷号: 10, 期号: 11, 页码: 1-6 作者:  Chen, JW (Chen, J. W.)[ 1,2 ];  Li, YD (Li, Y. D.)[ 1 ];  Heini, M (Heini, M.)[ 1 ];  Liu, BK (Liu, B. K.)[ 1,2 ];  Lei, QQ (Lei, Q. Q.)[ 1,2 ]   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2021/01/05 GaAsN/GaAs量子阱在1 MeV电子束辐照下的退化规律 期刊论文  OAI收割 发光学报, 2020, 卷号: 41, 期号: 5, 页码: 603-609 作者:  雷琪琪;  郭旗;  艾尔肯·阿不都瓦衣提;  玛丽娅·黑尼   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/05/15 稀氮  光致发光  电子辐照  GaAsN  退火