中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
半导体研究所 [6]
采集方式
OAI收割 [6]
内容类型
会议论文 [6]
发表日期
2010 [1]
2006 [1]
2004 [1]
2003 [1]
2002 [1]
1998 [1]
更多
学科主题
半导体物理 [6]
筛选
浏览/检索结果:
共6条,第1-6条
帮助
限定条件
学科主题:半导体物理
内容类型:会议论文
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
Growth Parameter Dependence of Structural Characterizations of Diluted Magnetic Semiconductor (Ga, Cr)As
会议论文
OAI收割
international magnetics conference (intermag), madrid, spain, may 04-08, 2008
作者:
Gan HD
收藏
  |  
浏览/下载:65/0
  |  
提交时间:2010/03/09
Magnetic analysis
Optical properties of inGaAs/GaAs quantum wells grown by Sb-assisted molecular beam epitaxy
会议论文
OAI收割
3rd international conference on materials for advanced technologies/9th international conference on advanced materials, singapore, singapore, jul 03-08, 2005
Jiang, DS
;
Qu, YH
;
Ni, HQ
;
Wu, DH
;
Xu, YQ
;
Niu, ZC
收藏
  |  
浏览/下载:110/24
  |  
提交时间:2010/03/29
molecular beam epitaxy
Effect of SiO2 encapsulation on the nitrogen reorganization in GaNAs/GaAs single quantum well
会议论文
OAI收割
asia-pacific optical and wireless communications conference (apoc 2003), wuhan, peoples r china, nov 04-06, 2003
Ying-Qiang X
;
Zhang W
;
Niu ZC
;
Wu RG
;
Wang QM
收藏
  |  
浏览/下载:16/1
  |  
提交时间:2010/10/29
GaNAs
SiO2 encapsulation
rapid-thermal-annealing
nitrogen reorganization
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
OPTICAL-PROPERTIES
MU-M
Optical study of localized and delocalized states in GaAsN/GaAs
会议论文
OAI收割
symposium on gan and related alloys held at the mrs fall meeting, boston, ma, dec 01-05, 2003
作者:
Tan PH
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2010/10/29
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ALLOYS
GAAS1-XNX
PHOTOLUMINESCENCE
RELAXATION
The influence of nitrogen clustering effect on optical transitions in GaInNAs/GaAs quantum wells
会议论文
OAI收割
international workshop on nitride semiconductors (iwn 2002), aachen, germany, jul 22-25, 2002
作者:
Jiang DS
收藏
  |  
浏览/下载:16/2
  |  
提交时间:2010/10/29
LUMINESCENCE
LOCALIZATION
Boron diffusion in Ge+ premorphized and BF2+ implanted Si(001)
会议论文
OAI收割
14th latin american symposiumm on solid state physics, oaxaca, mexico, jan 11-16, 1998
Zou LF
;
Acosta-Ortiz SE
;
Zou LX
;
Regalado LE
;
Sun DZ
;
Wang ZG
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2010/11/15
ELECTRICAL-PROPERTIES
ION-IMPLANTATION
REGROWTH
SILICON
LAYERS