机构

• 半导体研究所 [16]

采集方式

• OAI收割 [16]

内容类型

• 期刊论文 [16]

发表日期

• 2011 [1]
• 2010 [1]
• 2009 [2]
• 2008 [2]
• 2005 [1]
• 2004 [1]
• 更多

学科主题

• 光电子学 [9]
• 半导体材料 [6]
• 半导体物理 [1]

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浏览/检索结果: 共16条，第1-10条 帮助 限定条件 内容类型：期刊论文    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 采用低温缓冲层技术在Si衬底上生长高质量Ge薄膜 期刊论文  OAI收割 光电子·激光, 2011, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 1030-1033 周志文; 贺敬凯; 李成; 余金中 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/07/17 自支撑GaN厚膜制备及其光学性能研究 期刊论文  OAI收割 稀有金属材料与工程, 2010, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 2169-2172 作者:  羊建坤 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2011/08/16 Si衬底上Ge材料的UHVCVD生长 期刊论文  OAI收割 材料科学与工程学报, 2009, 卷号: 27, 期号: 1, 页码: 118-120 作者:  薛海韵;  成步文;  薛春来 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/11/23 厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响 期刊论文  OAI收割 物理学报, 2009, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 3416-3420 作者:  刘斌;  陈涌海 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/23 UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: 315-318 周志文; 蔡志猛; 张永; 蔡坤煌; 周笔; 林桂江; 汪建元; 李成; 赖虹凯; 陈松岩; 余金中; 王启明 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/23 非掺杂LEC砷化镓晶体中砷沉淀和位错关联性质 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 1779-1782 作者:  赵冀 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/23 应变异质结构中超薄中间层的应变协调作用 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: 1740-1743 作者:  陈涌海;  杨少延 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/23 In源流量与Ⅲ族流量之比对InGaN/GaN多量子阱性质的影响 期刊论文  OAI收割 物理学报, 2004, 卷号: 53, 期号: 8, 页码: 2467-2471 作者:  王玉田 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2010/11/23 横向外延GaN结晶质量的同步辐射研究 期刊论文  OAI收割 核技术, 2002, 卷号: 25, 期号: 10, 页码: 770-774 作者:  王玉田 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2010/11/23 立方相GaN外延层中堆垛层错的非对称性 期刊论文  OAI收割 广西大学学报. 自然科学版, 2002, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 252-255 沈晓明; 渠波; 冯志宏; 杨辉 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/23