机构

• 半导体研究所 [39]

采集方式

• OAI收割 [34]
• iSwitch采集 [5]

内容类型

• 期刊论文 [33]
• 会议论文 [6]

发表日期

• 2011 [4]
• 2010 [1]
• 2009 [3]
• 2007 [1]
• 2006 [4]
• 2005 [3]
• 更多

学科主题

• 半导体物理 [15]
• 半导体材料 [11]
• 光电子学 [8]

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浏览/检索结果: 共39条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Spin-flip relaxation in a two-electron quantum dot with spin-phonon coupling 期刊论文  iSwitch采集 Solid state communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 22, 页码: 1667-1671 作者:  Wang, Zi-Wu;  Li, Shu-Shen 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Nanostructures  Electron-phonon interactions  Spin dynamics   A practical route towards fabricating GaN nanowire arrays 期刊论文  OAI收割 crystengcomm, 2011, 卷号: 13, 期号: 19, 页码: 5929-5935 Liu, JQ; Huang, J; Gong, XJ; Wang, JF; Xu, K; Qiu, YX; Cai, DM; Zhou, TF; Ren, GQ; Yang, H 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2012/02/06 LIGHT-EMITTING-DIODES  EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  WELL NANOROD ARRAYS  ULTRAVIOLET-LIGHT  GROWTH  NANOGENERATORS  DISLOCATIONS  BRIGHTNESS  LAYERS   Effect of high temperature AlGaN buffer thickness on GaN Epilayer grown on Si(111) substrates 期刊论文  OAI收割 journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032 作者:  Pan X 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2011/09/14 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHASE EPITAXY  ALN INTERLAYERS  FILMS  STRESS  LAYERS  DISLOCATIONS  REDUCTION  DENSITY  DIODES   Spin-flip relaxation in a two-electron quantum dot with spin-phonon coupling 期刊论文  OAI收割 solid state communications, SOLID STATE COMMUNICATIONS, 2011, 2011, 卷号: 151, 151, 期号: 22, 页码: 1667-1671, 1667-1671 作者:  Wang, ZW;  Li, SS;  Wang, ZW (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China,zwwang@semi.ac.cn   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/01/06 Nanostructures  Electron-phonon interactions  Spin dynamics  ELECTRON-SPIN  SEMICONDUCTORS  Nanostructures  Electron-phonon Interactions  Spin Dynamics  Electron-spin  Semiconductors   Role of Ga vacancies in enhancing the leakage current of GaN Schottky barrier ultraviolet photodetectors 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 5, 页码: art. no. 057802 Zhao DG (Zhao De-Gang); Zhang S (Zhang Shuang); Liu WB (Liu Wen-Bao); Hao XP (Hao Xiao-Peng); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Liu ZS (Liu Zong-Shun); Wang H (Wang Hui); Zhang SM (Zhang Shu-Ming); Yang H (Yang Hui); Wei L (Wei Long) 收藏  |  浏览/下载：73/2  |  提交时间：2010/05/24 Ga vacancies  MOCVD  GaN  Schottky barrier photodetector  REVERSE-BIAS LEAKAGE  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  P-N-JUNCTIONS  POSITRON-ANNIHILATION  DIODES  FILMS   Anisotropic transport in quantum waveguides due to the spin-orbit interactions 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 5, 页码: art. no. 052108 Wang M; Chang K; Chan KS 收藏  |  浏览/下载：179/51  |  提交时间：2010/03/08 crystal orientation  electric admittance  electron waveguides  quantum interference phenomena  spin-orbit interactions   Spin Hall effect on the kagome lattice with Rashba spin-orbit interaction 期刊论文  OAI收割 physical review b, 2009, 卷号: 79, 期号: 3, 页码: art. no. 035323 Liu GC; Zhang P; Wang ZG; Li SSS 收藏  |  浏览/下载：170/23  |  提交时间：2010/03/08 Berry phase  Fermi level  spin Hall effect  spin-orbit interactions   First-principles investigation of the electronic structure and magnetism of eskolaite 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2009, 卷号: 18, 期号: 6, 页码: 2551-2556 Xue Hai-Yun; Xue Chun-Lai; Cheng Bu-Wen; Yu Yu-De; Wang Qi-Ming 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/23 Does an enhanced yellow luminescence imply a reduction of electron mobility in n-type GaN? 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2007, 卷号: 102, 期号: 11, 页码: art. no. 113521 Zhao, DG; Jiang, DS; Zhu, JJ; Liu, ZS; Zhang, SM; Liang, JW; Yang, H 收藏  |  浏览/下载：51/5  |  提交时间：2010/03/08 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  X-RAY-DIFFRACTION  MG-DOPED GAN  UNDOPED GAN  PHOTOLUMINESCENCE BANDS  THREADING DISLOCATIONS  POSITRON-ANNIHILATION  GROWTH STOICHIOMETRY  GALLIUM NITRIDE   Interdot interaction induced zero-bias maximum of the differential conductance in parallel double quantum dots 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 4, 页码: 5 作者:  Chi, F;  Li, SS 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12