机构

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• 苏州纳米技术与纳米仿... [1]
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内容类型

• 期刊论文 [26]

发表日期

• 2012 [4]
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学科主题

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浏览/检索结果: 共26条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Intersubband absorption properties of high al content alxga1?xn/gan multiple quantum wells grown with different interlayers by metal organic chemical vapor deposition 期刊论文  iSwitch采集 Nanoscale research letters, 2012, 卷号: 7, 期号: 1 作者:  Sun,He Hui;  Guo,Feng Yun;  Li,Deng Yue;  Wang,Lu;  Wang,Dong Bo 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2019/05/09 Quantum wells  Interface  Intersubband  Tem  Pacs  61.72.lk  61.05.cp  68.37.-d  61.72.uj   Different strain relief behaviors in Al0.35Ga0.65N/GaN multiple quantum wells on GaN/Sapphire templates with AlN/GaN supperlattices and low-temperature AlN interlayers 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2012, 卷号: 111, 期号: 1 作者:  Huang, CC;  Xu, FJ;  Song, J;  Xu, ZY;  Wang, JM   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/03/18 Dislocation Behavior in AlGaN/GaN Multiple Quantum-Well Films Grown with Different Interlayers 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 29, 期号: 9 Sun, HH; Guo, FY; Li, DY; Wang, L; Zhao, DG; Zhao, LC 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2013/09/17 INCLINED THREADING DISLOCATIONS  INTERSUBBAND TRANSITIONS  RELAXATION  LAYERS   Intersubband absorption properties of high Al content AlxGa1-xN/GaN multiple quantum wells grown with different interlayers by metal organic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2012, 卷号: 7, 页码: 1 Sun, HH; Guo, FY; Li, DY; Wang, L; Wang, DB; Zhao, LC 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2013/09/18 MU-M  STRAIN RELAXATION  WAVELENGTH RANGE  GAN/ALGAN  SUPERLATTICES  GAN  TRANSITIONS  DISLOCATIONS  ALN/GAN  MOCVD   Effect of high temperature algan buffer thickness on gan epilayer grown on si(111) substrates 期刊论文  iSwitch采集 Journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032 作者:  Wei, Meng;  Wang, Xiaoliang;  Pan, Xu;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Growth of 2 mu m crack-free gan on si(111) substrates by metal organic chemical vapor deposition 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 4 作者:  Wei Meng;  Wang Xiao-Liang;  Xiao Hong-Ling;  Wang Cui-Mei;  Pan Xu 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2019/05/12 Growth of 2 mu m Crack-Free GaN on Si(111) Substrates by Metal Organic Chemical Vapor Deposition 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: article no.48102 作者:  Pan X;  Hou QF 收藏  |  浏览/下载：83/7  |  提交时间：2011/07/05 ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS  AL-CONTENT  STRESS-CONTROL  PHASE EPITAXY  ALGAN  BUFFER  LAYERS  HETEROSTRUCTURES  INTERLAYERS  SILICON   Effect of high temperature AlGaN buffer thickness on GaN Epilayer grown on Si(111) substrates 期刊论文  OAI收割 journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032 作者:  Pan X 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2011/09/14 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHASE EPITAXY  ALN INTERLAYERS  FILMS  STRESS  LAYERS  DISLOCATIONS  REDUCTION  DENSITY  DIODES   Effects of algan/aln stacked interlayers on gan growth on si (111) 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 3 作者:  Wang Hui;  Liang Hu;  Wang Yong;  Ng Kar-Wei;  Deng Dong-Mei 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Effects of AlGaN/AlN Stacked Interlayers on GaN Growth on Si (111) 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: art. no. 038103 Wang H (Wang Hui); Liang H (Liang Hu); Wang Y (Wang Yong); Ng KW (Ng Kar-Wei); Deng DM (Deng Dong-Mei); Lau KM (Lau Kei-May) 收藏  |  浏览/下载：96/3  |  提交时间：2010/04/22 VAPOR-PHASE EPITAXY  TEMPERATURE ALN INTERLAYERS  CRACK-FREE GAN  STRESS-CONTROL  SI(111)  DEPOSITION  REDUCTION  THICKNESS  NITRIDE  LAYERS