机构

• 半导体研究所 [5]

采集方式

• iSwitch采集 [5]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2008 [4]
• 2006 [1]

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 存缴方式：iswitch    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Influence of aln buffer layer thickness on the properties of gan epilayer on si(111) by mocvd 期刊论文  iSwitch采集 Microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 1710-1713 作者:  Luo, Weijun;  Wang, Xiaoliang;  Guo, Lunchun;  Mao, Hongling;  Wang, Cuimei 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Si(111)  Crack  Aln  Mocvd   Growth and fabrication of algan/gan hemt based on si(111) substrates by mocvd 期刊论文  iSwitch采集 Microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 9, 页码: 1108-1111 作者:  Luo, Weijun;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimie;  Ran, Junxue 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2019/05/12 Algan/gan  High electron mobility transistor (hemt)  Si (111)   The effect of low temperature aln interlayers on the growth of gan epilayer on si (111) by mocvd 期刊论文  iSwitch采集 Superlattices and microstructures, 2008, 卷号: 44, 期号: 2, 页码: 153-159 作者:  Luo, Weijun;  Wang, Xiaoliang;  Guo, Lunchun;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 Gallium nitride crack  Low temperature aluminum nitride  Interlayer  Silicon   The influence of 1 nm aln interlayer on properties of the al0.3ga0.7n/aln/gan hemt structure 期刊论文  iSwitch采集 Microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 777-781 作者:  Guo, Lunchun;  Wang, Xiaoliang;  Wang, Cuimei;  Mao, Hongling;  Ran, Junxue 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Hemt  2deg  Mobility  Polarization   Discussion on the basic mathematical models of neurons - double synaptic weight neuron in general-purpose neurocomputer, theory and application 期刊论文  iSwitch采集 Chinese journal of electronics, 2006, 卷号: 15, 期号: 3, 页码: 373-377 作者:  Wang Shoujue;  Chen Xu;  Li Weijun 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Neural networks  Neurocomputer  Mathematical models of neurons  Double synaptic weight neuron (dswn)