机构

• 半导体研究所 [15]

采集方式

• iSwitch采集 [15]

内容类型

• 期刊论文 [15]

发表日期

• 2010 [6]
• 2009 [4]
• 2008 [1]
• 2007 [3]
• 2006 [1]

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浏览/检索结果: 共15条，第1-10条 帮助 限定条件 存缴方式：iswitch    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 The growth of zno on bcc-in2o3 buffer layers and the valence band offset determined by x-ray photoemission spectroscopy 期刊论文  iSwitch采集 Solid state communications, 2010, 卷号: 150, 期号: 41-42, 页码: 1991-1994 作者:  Song, H. P.;  Zheng, G. L.;  Yang, A. L.;  Guo, Y.;  Wei, H. Y. 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/12 Zno  In2o3  Mocvd  Photoelectron spectroscopies   Synthesies and properties of tb-doped gan nanowires 期刊论文  iSwitch采集 Inorganic materials, 2010, 卷号: 46, 期号: 10, 页码: 1096-1099 作者:  Cao, Y. P.;  Shi, F.;  Xiu, X. W.;  Sun, H. B.;  Guo, Y. F. 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/05/12 Anomalous shift of the beating nodes in illumination-controlled in1-xgaxas/in1-yalyas two-dimensional electron gases with strong spin-orbit interaction 期刊论文  iSwitch采集 Physical review b, 2010, 卷号: 81, 期号: 19, 页码: 6 作者:  Zhou, W. Z.;  Lin, T.;  Shang, L. Y.;  Yu, G.;  Gao, K. H. 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Growth and properties of dy-doped gan nanowires 期刊论文  iSwitch采集 European physical journal-applied physics, 2010, 卷号: 50, 期号: 1, 页码: 5 作者:  Cao, Y. P.;  Shi, F.;  Sun, H. B.;  Liu, W. J.;  Guo, Y. F. 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Fabrication of gan nanowires on pd-coated sapphire substrates by magnetron sputtering technique 期刊论文  iSwitch采集 Materials characterization, 2010, 卷号: 61, 期号: 4, 页码: 381-385 作者:  Guo, Y. F.;  Xue, C. S.;  Liu, W. J.;  Sun, H. B.;  Cao, Y. P. 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Nanowires  Semiconductor  Sputtering  Photoluminescence   A study of indium incorporation in in-rich ingan grown by movpe 期刊论文  iSwitch采集 Applied surface science, 2010, 卷号: 256, 期号: 10, 页码: 3352-3356 作者:  Guo, Y.;  Liu, X. L.;  Song, H. P.;  Yang, A. L.;  Xu, X. Q. 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Movpe  In-rich ingan  Indium incorporation   Energy band alignment of sio2/zno interface determined by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 4, 页码: 5 作者:  You, J. B.;  Zhang, X. W.;  Song, H. P.;  Ying, J.;  Guo, Y. 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12 Determination of mgo/aln heterojunction band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy (vol 94, 052101, 2009) 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 12, 页码: 1 作者:  Yang, A. L.;  Song, H. P.;  Liu, X. L.;  Wei, H. Y.;  Guo, Y. 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Aluminium compounds  Core levels  Iii-v semiconductors  Magnesium compounds  Semiconductor heterojunctions  Semiconductor-insulator boundaries  X-ray photoelectron spectra   Determination of mgo/aln heterojunction band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 5, 页码: 3 作者:  Yang, A. L.;  Song, H. P.;  Liu, X. L.;  Wei, H. Y.;  Guo, Y. 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Aluminium compounds  Conduction bands  Energy gap  High electron mobility transistors  Iii-v semiconductors  Magnesium compounds  Passivation  Semiconductor heterojunctions  Valence bands  Wide band gap semiconductors  X-ray photoelectron spectra   Synthesis and characterization of well-aligned zn1-xmgxo nanorods and film by metal organic chemical vapor deposition 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 2, 页码: 278-281 作者:  Yang, A. L.;  Wei, H. Y.;  Liu, X. L.;  Song, H. P.;  Zheng, G. L. 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/12 Nanostructures  Metalorganic chemical vapor deposition  Zinc compounds  Semiconducting ii-vi materials