机构

• 半导体研究所 [4]

采集方式

• iSwitch采集 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2010 [1]
• 2009 [2]
• 2006 [1]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 存缴方式：iswitch    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Evaluation of both composition and strain distributions in ingan epitaxial film using x-ray diffraction techniques 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 10, 页码: 7 作者:  Guo Xi;  Wang Hui;  Jiang De-Sheng;  Wang Yu-Tian;  Zhao De-Gang 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2019/05/12 Ingan  In-plane grazing incidence x-ray diffraction  Reciprocal space mapping  Biaxial strain   Influence of penetrating v-pits on leakage current of gan based p-i-n uv detector 期刊论文  iSwitch采集 Acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 11, 页码: 7952-7957 作者:  Zhang Shuang;  Zhao De-Gang;  Liu Zong-Shun;  Zhu Jian-Jun;  Zhang Shu-Ming 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Uv detector  V-pits  Leakage current   High-speed 2 x 2 silicon-based electro-optic switch with nanosecond switch time 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics b, 2009, 卷号: 18, 期号: 9, 页码: 3900-3904 作者:  Xu Xue-Jun;  Chen Shao-Wu;  Xu Hai-Hua;  Sun Yang;  Yu Yu-De 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Silicon-on-insulator  Electro-optic switch  Plasma dispersion effect  Switch time   Reduction of dislocations in gan epilayer grown on si (111) substrates using a gan intermedial layer 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 2591-2594 作者:  Wang Jian-Feng;  Zhang Bao-Shun;  Zhang Ji-Cai;  Zhu Jian-Jun;  Wang Yu-Tian 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12