机构

• 半导体研究所 [4]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2016 [2]
• 2015 [2]

学科主题

• 光电子学 [4]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 存缴方式：oaiharvest    学科主题：光电子学     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 XPS study of impurities in Si-doped AlN film 期刊论文  OAI收割 surface and interface analysis, 2016, 卷号: 48, 期号: 12, 页码: 1305–1309 F. Liang; P. Chen; D. G. Zhao; D. S. Jiang; Z. J. Zhao; Z. S. Liu; J. J. Zhu; J. Yang; L. C. Le; W. Liu; X.G. He; X. J. Li; X Li; S. T Liu; H. Yang; J. P. Liu; L. Q. Zhang; Y. T. Zhang; G. T. Du 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2017/03/10 The thickness design of unintentionally doped GaN interlayer matched with background doping level for InGaN-based laser diodes 期刊论文  OAI收割 aip advances, 2016, 卷号: 6, 页码: 035124 P. Chen; D. G. Zhao; D. S. Jiang; J. J. Zhu; Z. S. Liu; J. Yang; X. Li; L. C. Le; X. G. He; W. Liu; X. J. Li; F. Liang; B. S. Zhang; H. Yang; Y. T. Zhang; G. T. Du 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2017/03/10 Photovoltaic response of InGaN/GaN multi-quantum well solar cells enhanced by inserting thin GaN cap layers 期刊论文  OAI收割 journal of alloys and compounds, 2015, 卷号: 635, 期号: 2015, 页码: 82–86 J. Yang; D.G. Zhao; D.S. Jiang; P. Chen; J.J. Zhu; Z.S. Liu; L.C. Le; X.G. He; X.J. Li; H. Yang; Y.T. Zhang; G.T. Du 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2016/03/23 Optical and structural characteristics of high indium content InGaN/GaN multi-quantum wells with varying GaN cap layer thickness 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2015, 卷号: 117, 页码: 055709 J. Yang; D. G. Zhao; D. S. Jiang; P. Chen; J. J. Zhu; Z. S. Liu; L. C. Le; X. J. Li; X. G. He; J. P. Liu; H. Yang; Y. T. Zhang; G. T. Du 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2016/03/23