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• 物理研究所 [4]

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• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2005 [4]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2005    专题：物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Optical properties of AlAs/GaAs quantum wells with antimony as a surfactant by solid source molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2005, 卷号: 278, 期号: 1-4, 页码: 548 Wu, SD; Wang, WX; Guo, LW; Li, ZH; Shang, XZ; Liu, F; Huang, Q; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/09/24 VAPOR-PHASE EPITAXY  INTERFACE ROUGHNESS  ALGAAS  PHOTOLUMINESCENCE  HETEROSTRUCTURES  QUALITY  DIODES  MBE  SB   Effect of the low-temperature buffer thickness on quality of InSb grown on GaAs substrate by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2005, 卷号: 277, 期号: 1-4, 页码: 21 Wu, SD; Guo, LW; Li, ZH; Shang, XZ; Wang, W; Huang, Q; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/09/17 X-RAY-DIFFRACTION  LATTICE-DYNAMICS  LAYER THICKNESS  FILMS   Incorporation behaviour of arsenic and phosphorus in GaAsP/GaAs grown by solid source molecular beam epitaxy with a GaP decomposition source 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 22, 期号: 4, 页码: 960 Wu, SD; Guo, LW; Wang, WX; Li, ZH; Niu, PJ; Huang, Q; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/09/17 CRACKER CELL  EQUIVALENT PRESSURE  SURFACE MIGRATION  GAINASP   Interface properties of InAs/AlSb superlattices characterized by grazing incidence x-ray reflectivity 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 1729 Li, ZH; Guo, LW; Wu, SD; Wang, WX; Huang, Q; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/09/18 QUANTUM-WELLS  BARRIERS  BONDS  GAAS