机构

• 上海微系统与信息技术... [4]

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内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2007 [4]

学科主题

• Physics, M... [4]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2007    学科主题：Physics, Multidisciplinary     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Ge1Sb2Te4 based chalcogenide random access memory array fabricated by 0.18-mu m CMOS technology 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 790-792 Zhang, T; Song, ZT; Feng, GM; Liu, B; Wu, LC; Feng, SL; Chen, B 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/03/24 THIN-FILMS  PHASE  CRYSTALLIZATION  ALLOYS  DEVICE   Chalcogenide random access memory cell with structure of W sub-microtube heater electrode 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 24, 期号: 1, 页码: 262-264 Bo, L; Feng, GM; Wu, LC; Song, ZT; Liu, QB; Feng, SL; Bomy, C 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/03/24 PHASE-CHANGE MEMORY  ION-BEAM METHOD  SB2TE3 MATERIAL  GE2SB2TE5 FILM  ELEMENT  CRYSTALLIZATION   Remarkable resistance change in plasma oxidized TiOx/TiNx film for memory application 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 24, 期号: 4, 页码: 1103-1105 Wu, LC; Song, ZT; Liu, B; Rao, F; Xu, C; Zhang, T; Yin, WJ; Feng, SL 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2012/03/24 RANDOM-ACCESS MEMORY  THIN OXIDE-FILMS  GE2SB2TE5 FILMS  ELECTRICAL-PROPERTIES  NEGATIVE RESISTANCE  NIO FILMS   Si1Sb2Te3 phase change material for chalcogenide random access memory 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS, 2007, 卷号: 16, 期号: 8, 页码: 2475-2478 Zhang, T; Song, ZT; Liu, B; Liu, WL; Feng, SL; Chen, B 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/03/24 OVONIC UNIFIED MEMORY  AMORPHOUS THIN-FILMS  OPTICAL DISK  RESISTANCE MEASUREMENTS  ELECTRICAL-PROPERTIES  GE2SB2TE5 FILM  TE GLASSES  CRYSTALLIZATION  IMPLANTATION  BEHAVIOR