机构

• 半导体研究所 [17]

采集方式

• OAI收割 [17]

内容类型

• 期刊论文 [17]

发表日期

• 2009 [17]

学科主题

• 半导体物理 [10]
• 光电子学 [6]
• 半导体化学 [1]

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浏览/检索结果: 共17条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2009    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Stable multiplication gain in GaN p-i-n avalanche photodiodes with large device area 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 1, 页码: art. no. 015108 作者:  Wang H;  Zhao DG;  Zhang SM;  Yang H;  Yang H 收藏  |  浏览/下载：168/40  |  提交时间：2010/03/08 SURFACE-MORPHOLOGY  DETECTORS  GROWTH   Confinement factor and absorption loss of AlInGaN based laser diodes emitting from ultraviolet to green 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 2, 页码: art. no. 023104 作者:  Zhu JJ;  Zhang SM;  Jiang DS;  Zhao DG;  Yang H 收藏  |  浏览/下载：191/56  |  提交时间：2010/03/08 aluminium compounds  claddings  gallium compounds  III-V semiconductors  indium compounds  quantum well lasers  refractive index  waveguide lasers   Thickness dependent dislocation, electrical and optical properties in InN films grown by MOCVD 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 3416-3420 作者:  Li Y;  Chen P;  Jiang DS;  Wang H;  Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：49/4  |  提交时间：2010/03/08 InN  dislocation  carrier origination  localization   Curvature Correction of FWHM in the X-Ray Rocking Curve of Bent Heteroepitaxial Films 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: art. no. 076104 作者:  Wang LJ;  Yang H;  Jiang DS;  Zhao DG;  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：78/0  |  提交时间：2010/03/08 DENSITIES  CRYSTALS  LAYERS   The effect of single AlGaN interlayer on the structural properties of GaN epilayers grown on Si (111) substrates 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2009, 卷号: 18, 期号: 10, 页码: 4413-4417 Wu YX (Wu Yu-Xin); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Zhao DG (Zhao De-Gang); Liu ZS (Liu Zong-Shun); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Zhang SM (Zhang Shu-Ming); Wang YT (Wang Yu-Tian); Wang H (Wang Hui); Chen GF (Chen Gui-Feng); Yang H (Yang Hui) 收藏  |  浏览/下载：130/35  |  提交时间：2010/03/08 GaN   GaN-based violet laser diodes grown on free-standing GaN substrate 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2009, 卷号: 18, 期号: 12, 页码: 5350-5353 作者:  Wang H;  Zhu JJ;  Yang H;  Yang H;  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/04/05 GaN laser diode  mounting configuration  active region temperature  CONTINUOUS-WAVE OPERATION   InGaN/GaN p-i-n Photodiodes Fabricated with Mg-Doped p-InGaN Layer 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: art.no.107302 Wang H (Wang Hui); Zhu JH (Zhu Ji-Hong); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Zhao DG (Zhao De-Gang); Liu ZS (Liu Zong-Shun); Zhang SM (Zhang Shu-Ming); Yang H (Yang Hui) 收藏  |  浏览/下载：157/39  |  提交时间：2010/03/08 TRANSPORT CHARACTERISTICS   The investigation on strain relaxation and double peaks in photoluminescence of InGaN/GaN MQW layers 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 23, 页码: art.no.235104 Zhu, JH (Zhu, J. H.); Wang, LJ (Wang, L. J.); Zhang, SM (Zhang, S. M.); Wang, H (Wang, H.); Zhao, DG (Zhao, D. G.); Zhu, JJ (Zhu, J. J.); Liu, ZS (Liu, Z. S.); Jiang, DS (Jiang, D. S.); Qiu, YX (Qiu, Y. X.); Yang, H (Yang, H.) 收藏  |  浏览/下载：143/26  |  提交时间：2010/03/08 MULTIPLE-QUANTUM WELLS   Kinetically controlled InN nucleation on GaN templates by metalorganic chemical vapour deposition 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 14, 页码: art. no. 145410 作者:  Zhang SM;  Yang H;  Yang H;  Wang YT;  Zhu JJ 收藏  |  浏览/下载：72/0  |  提交时间：2010/03/08 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  PHASE EPITAXY  QUANTUM DOTS  BAND-GAP  GROWTH  SURFACES   Influence of penetrating V-pits on leakage current of GaN based p-i-n UV detector 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 11, 页码: 7952-7957 Zhang S (Zhang Shuang); Zhao DG (Zhao De-Gang); Liu ZS (Liu Zong-Shun); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Zhang SM (Zhang Shu-Ming); Wang YT (Wang Yu-Tian); Duan LH (Duan Li-Hong); Liu WB (Liu Wen-Bao); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Yang H (Yang Hui) 收藏  |  浏览/下载：137/40  |  提交时间：2010/03/08 GaN