机构

• 半导体研究所 [7]

采集方式

• OAI收割 [7]

内容类型

• 专利 [4]
• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2014 [1]
• 2012 [1]
• 1994 [1]

学科主题

• 半导体器件 [7]

筛选

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：半导体器件    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Design strategies for enhancing carrier localization in InGaN-based light-emitting diodes 期刊论文  OAI收割 journal of luminescence, JOURNAL OF LUMINESCENCE, 2014, 2014, 卷号: 155, 155, 页码: 238-243, 238-243 作者:  Yang, Yujue;  Ma, Ping;  Wei, Xuecheng;  Yan, Dan;  Wang, Yafang   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2015/03/19 Anomalous temperature dependence of photoluminescence in self-assembled InGaN quantum dots 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 2012, 卷号: 101, 101, 期号: 13, 页码: 131101, 131101 作者:  Ma J (Ma, Jun);  Ji XL (Ji, Xiaoli);  Wang GH (Wang, Guohong);  Wei XC (Wei, Xuecheng);  Lu HX (Lu, Hongxi)   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2013/03/27 MBE生长高质量GaAs/AlGaAs量子阱激光器 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 1994, 卷号: 15, 期号: 9, 页码: 650 作者:  陈良惠 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2010/11/23 在SiC衬底上形成有导光层的GaN基LED的制造方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-02 孔庆峰; 马平; 纪攀峰; 卢鹏志; 杨华; 刘志强; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2016/09/02 氮化镓基宽光谱发光二极管及其制备方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-25, 2013-12-25 作者:  姬小利;  郭金霞;  马平;  马骏;  魏同波   |  收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2014/11/17 一种氮化镓系发光器件 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-12, 2014-03-12 作者:  姬小利;  路红喜;  郭金霞;  魏同波;  伊晓燕   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2014/11/05 提高发光效率的极性面氮化镓基发光器件 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-25, 2014-06-25 作者:  姬小利;  闫建昌;  郭金霞;  张连;  杨富华   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2014/11/24