机构

• 半导体研究所 [5]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [3]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 2011 [1]
• 1998 [4]

学科主题

• 半导体物理 [5]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Effect of built-in electric field in photovoltaic InAs quantum dot embedded GaAs solar cell 期刊论文  OAI收割 applied physics a-materials science & processing, APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2011, 2011, 卷号: 103, 103, 期号: 2, 页码: 335-341, 335-341 作者:  Shang XJ;  He JF;  Wang HL;  Li MF;  Zhu Y   |  收藏  |  浏览/下载：40/1  |  提交时间：2011/07/05 INTERMEDIATE-BAND  TRANSITIONS  Intermediate-band  Transitions   Gas source molecular beam epitaxy and thermal stability of Si1-xGex/Si superlattice materials 会议论文  OAI收割 14th latin american symposiumm on solid state physics, oaxaca, mexico, jan 11-16, 1998 Zou LF; Acosta-Ortiz SE; Zou LX; Regalado LE; Sun DZ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/15 STRAIN RELAXATION  HETEROSTRUCTURES   Gas source molecular beam epitaxy and thermal stability of Si1-xGex/Si superlattice materials 期刊论文  OAI收割 revista mexicana de fisica, 1998, 卷号: 44, 期号: 0, 页码: 93-96 Zou LF; Acosta-Ortiz SE; Zou LX; Regalado LE; Sun DZ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/08/12 gas source molecular beam epitaxy  thermal stability  Si1-xGex  HETEROSTRUCTURES  STRAIN RELAXATION   Boron diffusion in Ge+ premorphized and BF2+ implanted Si(001) 期刊论文  OAI收割 revista mexicana de fisica, 1998, 卷号: 44, 期号: 0, 页码: 85-88 Zou LF; Acosta-Ortiz SE; Zou LX; Regalado LE; Sun DZ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/08/12 diffusion  implantation  Ge ion  BF2 ion  ION-IMPLANTATION  REGROWTH  SILICON  LAYERS  ELECTRICAL-PROPERTIES   Boron diffusion in Ge+ premorphized and BF2+ implanted Si(001) 会议论文  OAI收割 14th latin american symposiumm on solid state physics, oaxaca, mexico, jan 11-16, 1998 Zou LF; Acosta-Ortiz SE; Zou LX; Regalado LE; Sun DZ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2010/11/15 ELECTRICAL-PROPERTIES  ION-IMPLANTATION  REGROWTH  SILICON  LAYERS