机构

• 上海微系统与信息技术... [3]

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• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2010 [1]
• 2009 [2]

学科主题

• Physics, A... [3]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：Physics, Applied    专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Insulator-quantum Hall conductor transition in high electron density gated InGaAs/InAlAs quantum wells 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 卷号: 108, 期号: 6, 页码: 63701-63701 Gao, KH; Yu, G; Zhou, YM; Wei, LM; Lin, T; Shang, LY; Sun, L; Yang, R; Zhou, WZ; Dai, N; Chu, JH; Austing, DG; Gu, Y; Zhang, YG(张永刚） 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/03/24 GLOBAL PHASE-DIAGRAM  MAGNETIC-FIELD  2 DIMENSIONS  METALLIC BEHAVIOR  HETEROSTRUCTURE  UNIVERSALITY  SYSTEMS  MAGNETOTRANSPORT  DELOCALIZATION  LIQUID   Study on Adhesive Strength between Ge2Sb2Te5 Film and Electrodes for Phase Change Memory Application 期刊论文  OAI收割 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 48, 期号: 10, 页码: 101601-101601 Liu, YB; Zhang, T; Zhang, GX; Niu, XM; Song, ZT; Min, GQ; Lin, Y; Zhang, J; Zhou, WM; Zhang, JP; Chu, JT; Wan, YZ; Feng, SL 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/03/24 THIN-FILMS  CRYSTALLIZATION  RESISTANCE   Magnetoresistance in high-density two-dimensional electron gas confined in InAlAs/InGaAs quantum well 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 94, 期号: 15, 页码: 152107-152107 Gao, KH; Zhou, WZ; Zhou, YM; Yu, G; Lin, T; Guo, SL; Chu, JH; Dai, N; Gu, Y; Zhang, YG(张永刚）; Austing, DG 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2012/03/24 HETEROSTRUCTURE