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新疆理化技术研究所 [5]
采集方式
OAI收割 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2013 [2]
2012 [1]
2011 [2]
学科主题
Physics [5]
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浏览/检索结果:
共5条,第1-5条
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学科主题:Physics
内容类型:期刊论文
专题:新疆理化技术研究所
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第一作者单位
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serial ferroelectric memory ionizing radiation effects and annealing characteristics
期刊论文
OAI收割
ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 卷号: 62, 期号: 15, 页码: -
作者:
Zhang Xing-Yao
;
Guo Qi
;
Lu Wu
;
Zhang Xiao-Fu
;
Zheng Qi-Wen
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2013/11/07
ferroelectric random memory
ionizing radiation effects
annealing characteristics
co-60 gamma-radiation effects on the ideality factor of alxga1-xn p-i-n solar-blind detector with high content of aluminum
期刊论文
OAI收割
ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 卷号: 62, 期号: 7, 页码: -
作者:
Zhang Xiao-Fu
;
Li Yu-Dong
;
Guo Qi
;
Luo Mu-Chang
;
He Cheng-Fa
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浏览/下载:27/0
  |  
提交时间:2013/11/07
high Al content AlxGa1-xN
gamma-ray radiation effects
ideality factor
Ohmic contact
research on the total dose irradiation effect of partial-depletion-silicon-on insulator static random access memory
期刊论文
OAI收割
ACTA PHYSICA SINICA, 2012, 卷号: 61, 期号: 10, 页码: -
作者:
Li Ming
;
Yu Xue-Feng
;
Xue Yao-Guo
;
Lu Jian
;
Cui Jiang-Wei
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2012/11/29
partial-depletion-silicon-on insulator
static random access memory
total-dose effects
power supply current
Theorical model of enhanced low dose rate sensitivity observed in p-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
期刊论文
OAI收割
ACTA PHYSICA SINICA, 2011, 卷号: 60, 期号: 6
作者:
Gao Bo
;
Yu Xue-Feng
;
Ren Di-Yuan
;
Cui Jiang-Wei
;
Lan Bo
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浏览/下载:34/0
  |  
提交时间:2012/11/29
p-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
Co-60 gamma-ray
total-dose irradiation damage effects
enhanced low dose rate sensitivity
Research on the total-dose irradiation damage effect for static random access memory-based field programmable gate array
期刊论文
OAI收割
ACTA PHYSICA SINICA, 2011, 卷号: 60, 期号: 3
作者:
Gao Bo
;
Yu Xue-Feng
;
Ren Di-Yuan
;
Li Yu-Dong
;
Cui Jiang-Wei
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2012/11/29
(60)Co gamma
total-dose irradiation damage effects
SRAM-based FPGA
CMOS cell