机构

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• OAI收割 [9]

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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Improving the signal resolution of semiconductor gas sensors to high-concentration gases 期刊论文  OAI收割 SOLID-STATE ELECTRONICS, 2019, 卷号: 162, 页码: 7 作者:  Zhou, Xinyuan;  Yang, Liping;  Bian, Yuzhi;  Wang, Ying;  Han, Ning   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/03/24 Metal oxide gas sensor  Field-effect transistor  High-concentration  Signal resolution   体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响 期刊论文  OAI收割 电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069 作者:  席善学;  陆妩;  郑齐文;  崔江维;  魏莹   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/03/19 总剂量效应  绝缘体上硅  体效应  浅沟槽隔离   Reliability of partially-depleted silicon-on-insulator n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor under the ionizing radiation environment 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 卷号: 64, 期号: 8 作者:  Zhou, H (Zhou Hang);  Cui, JW (Cui Jiang-Wei);  Zheng, QW (Zheng Qi-Wen);  Guo, Q (Guo Qi);  Ren, DY (Ren Di-Yuan)   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2018/01/26 Reliability  Silicon-on-insulator N-channel Metal-oxide-semiconductor Field-effect Transistor  Total Ionizing Dose Effect  Electrical Stress   Fabrication of a Single CuO Nanowire-based Gas Sensor Working at Room Temperatur 会议论文  OAI收割 3rd International Conference on Manipulation, Manu­facturing and Measurement on the Nanoscale, 3M-NANO 2013, Suzhou, China, August 26-30, 2013 作者:  Huang CL(黄超雷);  Tian XJ(田孝军);  Liu J(刘杰);  Wang WX(王文学);  Dong ZL(董再励) 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2013/12/26 CuO nanowire  assembly  dielectrophoresis  DEP  field effect transistor  FET  alcohol gas sensor  humidity sensor   Theorical model of enhanced low dose rate sensitivity observed in p-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistor 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2011, 卷号: 60, 期号: 6 作者:  Gao Bo;  Yu Xue-Feng;  Ren Di-Yuan;  Cui Jiang-Wei;  Lan Bo 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2012/11/29 p-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistor  Co-60 gamma-ray  total-dose irradiation damage effects  enhanced low dose rate sensitivity   p型金属氧化物半导体场效应晶体管低剂量率辐射损伤增强效应模型研究 期刊论文  OAI收割 物理学报, 2011, 卷号: 60, 期号: 6, 页码: 812-818 作者:  高博;  余学峰;  任迪远;  崔江维;  兰博 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/11/29 p-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistor  60Co gamma-ray  total-dose irradiation damage effects  enhanced low dose rate sensitivity   Comparative studies of Ge and Si p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors with HfSiON dielectric and TaN metal gate 外文期刊  OAI收割 2010 作者:  Xu, QX;  Hu, AB   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/26 Study of strained-silicon channel metal-oxide-semiconductor field effect transistors by large angle convergent-beam electron diffraction 期刊论文  OAI收割 ULTRAMICROSCOPY, 2008, 卷号: 108, 期号: 9, 页码: 816 Liu, HH; Duan, XF; Xu, QX; Liu, BG 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2013/09/24 LAYER SUPERLATTICES  MOBILITY ENHANCEMENT  ELASTIC RELAXATION  SPECIMENS  CRYSTALS   Nanoscale strain analysis of strained-Si metal-oxide-semiconductor field effect transistors by large angle convergent-beam electron diffraction 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2006, 卷号: 88, 期号: 26 Liu, HH; Duan, XF; Qi, XY; Xu, QX; Li, HO; Qian, H 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2013/09/24 MOBILITY ENHANCEMENT  LAYER SUPERLATTICES  ELASTIC RELAXATION  SPECIMENS