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GaAs隧道结与GaInNAs太阳能电池材料的分子束外延生长
学位论文
OAI收割
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2014
作者:
甘兴源
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提交时间:2017/03/15
皮秒激光泵浦-探测在窄禁带半导体中的应用研究所
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2010
作者:
马法君
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2012/08/22
Hgcdte
Gainnas
深能级吸收
泵浦-探测
载流子动力学
Band crossing in isovalent semiconductor alloys with large size mismatch: first-principles calculations of the electronic structure of bi and n incorporated gaas
期刊论文
iSwitch采集
Physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 19, 页码: 4
作者:
Deng, Hui-Xiong
;
Li, Jingbo
;
Li, Shu-Shen
;
Peng, Haowei
;
Xia, Jian-Bai
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提交时间:2019/05/12
The optical gain and radiative current density of GaInNAs/GaAs/AlGaAs separate confinement heterostructure quantum well lasers
期刊论文
OAI收割
Journal of Applied Physics, 2010, 卷号: 107, 期号: 1
S. D. Wu, Y. G. Cao, S. Tomic and F. Ishikawa
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提交时间:2012/11/02
aluminium compounds
energy gap
gallium arsenide
gallium compounds
III-V semiconductors
indium compounds
quantum well lasers
valence
bands
waveguide lasers
threshold-current-density
band parameters
tensile strain
temperature
subbands
semiconductors
performance
spectra
leakage
diode
Band crossing in isovalent semiconductor alloys with large size mismatch: First-principles calculations of the electronic structure of Bi and N incorporated GaAs
期刊论文
OAI收割
physical review b, PHYSICAL REVIEW B, 2010, 2010, 卷号: 82, 82, 期号: 19, 页码: art. no. 193204, Art. No. 193204
作者:
Deng HX (Deng Hui-Xiong)
;
Li JB (Li Jingbo)
;
Li SS (Li Shu-Shen)
;
Peng HW (Peng Haowei)
;
Xia JB (Xia Jian-Bai)
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提交时间:2010/12/27
IMPURITIES
Impurities
Gaas1-xnx
Nitrogen
Gainnas
States
Traps
GAAS1-XNX
NITROGEN
GAINNAS
STATES
TRAPS
Spin-Polarized Localized Exciton Photoluminescence Dynamics in GaInNAs Quantum Wells
期刊论文
OAI收割
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 48, 期号: 10
作者:
Lu SL(陆书龙)
;
Lu SL(陆书龙)
;
Dong JR(董建荣)
;
Bian LF(边历峰)
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/01/15
一种脉冲阳极氧化工艺制作的长波长通讯用GaInNAs半导体激光器芯片
专利
OAI收割
专利号: CN101478114A, 申请日期: 2009-07-08, 公开日期: 2009-07-08
作者:
邓昀
;
曲轶
;
张晶
;
乔忠良
;
李辉
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提交时间:2019/12/31
1310 nm gainnas triple quantum well laser with 13 ghz modulation bandwidth
期刊论文
iSwitch采集
Electronics letters, 2009, 卷号: 45, 期号: 7, 页码: 356-u23
作者:
Zhao, H.
;
Haglund, A.
;
Westburgh, P.
;
Wang, S. M.
;
Gustavsson, J. S.
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提交时间:2019/05/12
Growth and characterization of gainnas by molecular beam epitaxy using a nitrogen irradiation method
期刊论文
iSwitch采集
Journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 7, 页码: 1723-1727
作者:
Zhao, H.
;
Wang, S. M.
;
Zhao, Q. X.
;
Sadeghi, M.
;
Larsson, A.
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/05/12
Quantum well
Dilute nitride
Rapid thermal annealing
Ingaas
Gainnas
1.3-1.55 微米 GaInNAs(Sb)/GaAs 量子阱生长与激光器制备研究
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
赵欢
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提交时间:2009/04/13