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OAI收割 [21]
内容类型
学位论文 [15]
专利 [3]
期刊论文 [3]
发表日期
2021 [1]
2016 [1]
2015 [2]
2012 [3]
2010 [3]
2008 [3]
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学科主题
红外基础研究 [4]
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光电子学 [1]
工学 [1]
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复合碱金属和碱土金属红外非线性光学材料的合成及结构性能研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:
艾力江·阿卜杜如苏力
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提交时间:2021/08/27
大带隙
硫属化合物
四面体基元
二阶倍频效应
双折射率
共轭聚合物前线轨道能级调控与光伏性能研究
学位论文
OAI收割
北京: 中国科学院大学, 2016
作者:
王久兴
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提交时间:2017/12/29
共轭聚合物
聚合物太阳能电池
前线轨道能级
基于二噻吩并咔唑与苯并噻二唑的 D-A 型共轭聚合物的合成与表征
学位论文
OAI收割
硕士, 中国科学院长春应用化学研究所: 中国科学院研究生院, 2015
作者:
荣梓清
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提交时间:2016/04/27
由于给体片段(D)和受体片段(A)间的电荷转移
D-A型共轭高分子通常具有较小的光学带隙
且分子偶极矩较大
分子间相互作用较强
利于获得高的载流子迁移率
因此
D-A型共轭聚合物是有机太阳能电池材料领域的研究热点。另一方面
稠环分子由于具有刚性平面的构型
重组能小等优点而被广泛引入D-A型共轭聚合物体系中。因此
本文以二噻吩并[2
3-b:7
6-b]咔唑(C1)和二噻吩并[3
2-b:6
7-b]咔唑(C2)两个稠环单元作为给体片段
苯并噻二唑(BT)单元作为受体片段合成了一系列D-A型共轭聚合物
并且对它们的光物理性质
电化学性质
载流子传输和光伏特性进行了系统研究
主要成果和创新点如下: (1)合成了基于二噻吩并咔唑和烷氧基取代的BT单元的两个聚合物P(BT-C1)和P(BT-C2)
它们均是无定形聚合物。 尽管P(BT-C1)和P(BT-C2)在分子结构上只有硫原子位置不同的差别
但两者在长波长和短波长范围表现出完全相反的相对吸收强度。 通过理论模拟可以发现
两个聚合物骨架构象完全不同
P(BT-C1)的骨架较为弯曲
而P(BT-C2)的骨架线性较好。因此
基于P(BT-C2)的有机薄膜晶体管(OTFT)的迁移率较高
达到5.4×10-3 cm2V-1s-1
而P(BT-C1)的OTFT迁移率较低
为1.9×10-3 cm2V-1s-1。 P(BT-C2)的HOMO能级比P(BT-C1)深0.2 eV左右
因此
基于P(BT-C2)的体异质结有机太阳能电池(OSC)器件的开路电压(Voc)明显高于P(BT-C1)
而P(BT-C1)与PC71BM共混薄膜相分离更加明显
导致P(BT-C1)的OSC器件的短路电流密度(Jsc)和填充因子(FF)较高
两个聚合物的能量转换效率(PCE)相差不多
均在5%左右。 (2)以C2为给体单元
BT和二氟代BT为受体单元
合成了两个共轭聚合物P(C6BT-C2)和P(C6BT2F-C2)。与P(BT-C2)相比
P(C6BT-C2)具有较高的热稳定性
HOMO能级升高
光谱红移。在BT单元上引入F原子后
聚合物的HOMO能级由P(C6BT-C2)的-5.00 eV降低到P(C6BT2F-C2)的-5.20 eV
同时帯隙变窄。 理论模拟发现两者的分子平面性比P(BT-C2)有很大改善
但分子骨架构象较为弯曲。基于P(C6BT-C2)与P(C6BT2F-C2)的OTFT器件在150 oC退火后载流子迁移率分别为4.8×10-3 和4.9×10-3 cm2V-1s-1 。由于与PC71BM共混薄膜的相分离不明显
基于P(C6BT-C2)与P(C6BT2F-C2)的OSC器件的Jsc和FF较低
PCE均小于2%。
Yb掺杂石英玻璃及大模场光纤的制备
学位论文
OAI收割
博士: 中国科学院上海光学精密机械研究所, 2015
作者:
刘双
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提交时间:2016/11/28
纳米孔玻璃粉烧结法,大模场石英光子晶体光纤,激光性质,石英玻璃中的点缺陷,闪烁发光性能
黑硅的光电特性
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2012
作者:
程正喜
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提交时间:2012/09/11
黑硅
平面黑硅
深能级杂质
杂质带
红外吸收特性
掺杂碲镉汞的光致发光光谱研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2012
作者:
张小华
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提交时间:2012/09/11
掺砷碲镉汞
光致发光
红外
杂质
液相外延
基于硅深能级近红外光吸收的波导探测器研究
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
毛雪
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提交时间:2012/06/18
皮秒激光泵浦-探测在窄禁带半导体中的应用研究所
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2010
作者:
马法君
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提交时间:2012/08/22
Hgcdte
Gainnas
深能级吸收
泵浦-探测
载流子动力学
制作用于1.55微米通信波段硅波导光电转换器的方法
专利
OAI收割
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-03, 2010-08-12, 2010-10-15
作者:
韩培德
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提交时间:2010/08/12
氮化镓材料中深能级中心光离化谱测试与分析
期刊论文
OAI收割
光谱学与光谱分析, 2010, 卷号: 000
作者:
尹志军
;
王莹
;
李素云
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提交时间:2020/10/26
光离化谱
氮化镓
深能级中心
晶格弛豫