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发表日期

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学科主题

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• 半导体化学 [1]

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浏览/检索结果: 共58条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드의 ＤＢＲ 구조물 및그 제조방법과 수직 공진 표면 발광 레이 专利  OAI收割 专利号: KR1020070059854A, 申请日期: 2007-06-12, 公开日期: 2007-06-12 作者:  김기수;  심은덕;  한원석;  김성복   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31 InP-계 수직공진 표면발광레이저를 제조하는 방법 및 이로부터 제조된 디바이스 专利  OAI收割 专利号: KR1020070050501A, 申请日期: 2007-05-15, 公开日期: 2007-05-15 作者:  캐뉴,캐서린쥐;  홀,벤자민엘;  니시야마,노부히코;  자,청 엔   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31 Inas self-assembled quantum dots grown on an inp (311)b substrate by molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 2001, 卷号: 89, 期号: 7, 页码: 4186-4188 作者:  Li, YF;  Wang, JZ;  Ye, XL;  Xu, B;  Liu, FQ 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 InAs self-assembled quantum dots grown on an InP (311)B substrate by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2001, 卷号: 89, 期号: 7, 页码: 4186-4188 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：143/18  |  提交时间：2010/08/12 MATRIX  ISLANDS  INGAAS   Structural and optical characterization of inas nanostructures grown on (001) and high index inp substrates 期刊论文  iSwitch采集 Applied surface science, 2000, 卷号: 167, 期号: 3-4, 页码: 191-196 作者:  Li, YF;  Ye, XL;  Liu, FQ;  Xu, B;  Ding, D 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Self-assembled quantum dots  Molecular beam epitaxy  High index   Two-dimensional ordering of self-assembled inas quantum dots grown on (311)b inp substrate 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 219, 期号: 1-2, 页码: 17-21 作者:  Li, YF;  Liu, FQ;  Xu, B;  Ye, XL;  Ding, D 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Quantum dots  Molecular beam epitaxy  High index   The effect of substrate orientation on the morphology of inas nanostructures on (001) and (11n)a/b(n=1-5) inp substrates 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 203-208 作者:  Sun, ZZ;  Wu, J;  Chen, YH;  Liu, FQ;  Ding, D 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 High-index inp substrate  In(ca)as nanostructures  Mbe   The effect of substrate orientation on the morphology of InAs nanostructures on (001) and (11n)A/B(n=1-5) InP substrates 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 203-208 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/08/12 high-index InP substrate  In(Ca)As nanostructures  MBE  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  INGAAS QUANTUM DOTS  ORIENTED GAAS  OPTICAL CHARACTERIZATION  ISLANDS   Two-dimensional ordering of self-assembled InAs quantum dots grown on (311)B InP substrate 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 219, 期号: 1-2, 页码: 17-21 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dots  molecular beam epitaxy  high index  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  STRAINED ISLANDS  GAAS  ORGANIZATION  INP(001)  LASERS  INGAAS  LAYER   Optical properties of self-assembled ternary In(GA/Al)As quantum dots on (100) and (N 1 1)B InP substrates 期刊论文  OAI收割 physica e, 2000, 卷号: 8, 期号: 2, 页码: 164-169 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/08/12 self-assembled quantum dots  InP substrate  high index  In(Ga  MBE  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  VAPOR-PHASE EPITAXY  GAAS  ISLANDS  PHOTOLUMINESCENCE  INP(001)  GROWTH  LASERS  Al)As/InAlAs/InP