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モジュール式ダイオード源を有する高出力レーザシステム 专利  OAI收割
专利号: JP2019525475A, 申请日期: 2019-09-05, 公开日期: 2019-09-05
作者:  タエバティ, パービッツ;  チャン, ビエン;  ロッホマン, ブライアン;  ソーター, マシュー;  ジョウ, ワン-ロン
  |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/31
密封型装置及びその構成方法 专利  OAI收割
专利号: JP2018532256A, 申请日期: 2018-11-01, 公开日期: 2018-11-01
作者:  コイラード,ジェイムズ グレゴリー;  ドーソン-エリ,デイヴィッド フランシス;  ログノフ,スティーヴン ルヴォヴィッチ;  ケサダ,マーク アレハンドロ;  ストレリツォフ,アレクサンダー ミハイロヴィッチ
  |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/31
上部表面上に接合パッドを有する熱アシスト記録組立体 专利  OAI收割
专利号: JP2013114742A, 申请日期: 2013-06-10, 公开日期: 2013-06-10
作者:  クリスチャン ルネ ボンホーテ;  リンデン ジェームズ クロウフォース;  平野 敏樹;  フ-イン フアーン;  ニール レスリー ロバートソン
  |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/31
波長可変ダイオードレーザを用いたガスタービンの高温ガス温度測定 专利  OAI收割
专利号: JP2012057623A, 申请日期: 2012-03-22, 公开日期: 2012-03-22
作者:  ビヴェク·ヴェヌゴパル·バダミ;  スコット·マーディン·ホイト;  チャヤン·ミトラ;  アヤン·バネルジ
  |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/31
半導体光学デバイスおよびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2003224330A, 申请日期: 2003-08-08, 公开日期: 2003-08-08
作者:  ホロニャック ニック ジュニア;  キッシュ フレッド エー.;  カラッチ ステファン ジェイ.;  エルゼイン ナダ
  |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/30
列島状活性領域を有する垂直空洞面放出レーザおよび製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1998313149A, 申请日期: 1998-11-24, 公开日期: 1998-11-24
作者:  ウェンビン·ジアン;  ジャマル·ラムダニ;  マイエル·エス·レビー
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/18
光デバイス 专利  OAI收割
专利号: JP1998229247A, 申请日期: 1998-08-25, 公开日期: 1998-08-25
作者:  ウトゥパル クマル チャクラバーティ;  ウィリアム クロスリー ドートレモント-スミス;  コウ-ウェイ ワン;  ダニエル ポール ウィルト
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13
ガリウム燐化物接触層を有する可視光放出縦型空洞表面放出レーザおよびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1998215025A, 申请日期: 1998-08-11, 公开日期: 1998-08-11
作者:  ジャマル·ラムダニ;  マイケル·エス·レビー;  フィリップ·ケリー
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31
紫外可視光放出縦型空洞表面放出レーザおよびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1998215026A, 申请日期: 1998-08-11, 公开日期: 1998-08-11
作者:  ジャマル·ラムダニ;  マイケル·エス·レビー;  ウェンビン·ジアン
  |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体装置 专利  OAI收割
专利号: JP1998190135A, 申请日期: 1998-07-21, 公开日期: 1998-07-21
作者:  デイビッド ピー.バウアー;  フェルナンド エー.ポンス;  ジー.エー.ネビル コネル;  ロス ディー.ブリンガンス;  ノーブル エム.ジョンソン
  |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/18