机构

• 西安光学精密机械研究... [6]

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• OAI收割 [6]

内容类型

• 专利 [6]

发表日期

• 2019 [2]
• 2007 [1]
• 2000 [1]
• 1999 [1]
• 1996 [1]

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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半導体素子パッケージ 专利  OAI收割 专利号: JP2019047123A5, 申请日期: 2019-06-13, 公开日期: 2019-06-13 作者:  イ,コウン;  カン,ヒソン;  キム,ガヨン;  イ,ヨンジュネ;  チン,ミンジ   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体素子パッケージ 专利  OAI收割 专利号: JP2019047123A, 申请日期: 2019-03-22, 公开日期: 2019-03-22 作者:  イ,コウン;  カン,ヒソン;  キム,ガヨン;  イ,ヨンジュネ;  チン,ミンジ   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/30 光記憶システムで使用するダイオード装置の制御方法 专利  OAI收割 专利号: JP2007521595A, 申请日期: 2007-08-02, 公开日期: 2007-08-02 作者:  スヒライペン ヨハネス ジェイ エイチ ビー;  ヴルッテルス ルード   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レ—ザおよび半導体レ—ザの形成方法 专利  OAI收割 专利号: JP2000077770A, 申请日期: 2000-03-14, 公开日期: 2000-03-14 作者:     |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/31 窒化ガリウム系用低電圧降下電気接点 专利  OAI收割 专利号: JP1999040887A, 申请日期: 1999-02-12, 公开日期: 1999-02-12 作者:  ヨン·チェン;  ロン·ヤン;  シー·ユン ウォン;  リチャード·ピー·シュネイダー   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/31 レーザーダイオードのビームを視準と同時に整形する為の 非球面レンズ 专利  OAI收割 专利号: JP1996304699A, 申请日期: 1996-11-22, 公开日期: 1996-11-22 作者:  ジョン ジン ホ;  チェ ヨン ジン   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/30