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西安光学精密机械研究... [3]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
专利 [3]
发表日期
1996 [3]
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共3条,第1-3条
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エピタキシャルウェハおよびそれを用いた半導体レーザ素子ならびにその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1996264901A, 申请日期: 1996-10-11, 公开日期: 1996-10-11
作者:
松原 秀樹
;
三浦 祥紀
;
関 壽
;
纐纈 明伯
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ素子およびその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1996264886A, 申请日期: 1996-10-11, 公开日期: 1996-10-11
作者:
松原 秀樹
;
三浦 祥紀
;
関 壽
;
纐纈 明伯
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提交时间:2020/01/18
エピタキシャルウェハおよびその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1996188498A, 申请日期: 1996-07-23, 公开日期: 1996-07-23
作者:
松原 秀樹
;
高岸 成典
;
三浦 祥紀
;
関 壽
;
纐纈 明伯
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提交时间:2019/12/31