机构

• 微电子研究所 [4]
• 上海微系统与信息技术... [1]

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• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2006 [4]
• 2003 [1]

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 162GHz自对准InP／InGaAs异质结双极型晶体管 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 10, 页码: 1732-1736 作者:  徐安怀;  于进勇;  刘新宇;  严北平;  苏树兵   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/05/26 磷化铟  异质结双极型晶体管  自对准   GaAsMMIC用无源元件的模型 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 10, 页码: 1872-1879 作者:  刘新宇;  吴德馨;  王显泰;  葛霁;  杨威   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/05/26 Mmic  矩形螺旋电感  Mim电容  薄膜电阻  多项式拟合公式   C波段3．5W／mm，PAE〉40％的InGaP／GaAs HBT功率管 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 9, 页码: 1612-1615 作者:  严北平;  吴德馨;  申华军;  陈延湖;  葛霁   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/05/26 Ingap／gaas  异质结双极晶体管  功率管   162GHz自对准InP/InGaAs异质结双极型晶体管(英文) 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2006, 期号: 10 于进勇; 严北平; 苏树兵; 刘训春; 王润梅; 徐安怀; 齐 鸣; 刘新宇 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2012/01/06 半导体技术  化学镀Ni-P  纯锡凸点  高温回流  Ni_3Sn_4金属间化合物   低开启电压的InGaP／GaAsSb／GaAs双异质结晶体管 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 4，318-321 作者:  郑丽萍;  严北平   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/05/25 开启电压