机构

• 西安光学精密机械研究... [7]

采集方式

• OAI收割 [7]

内容类型

• 专利 [7]

发表日期

• 2011 [1]
• 2009 [2]
• 2007 [1]
• 2005 [1]
• 1999 [1]

学科主题

筛选

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 激光源模块 专利  OAI收割 专利号: CN101960681A, 申请日期: 2011-01-26, 公开日期: 2011-01-26 作者:  玉谷基亮;  亿田宪治;  难波知世;  中村聪;  相泽淳一   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP2009194304A, 申请日期: 2009-08-27, 公开日期: 2009-08-27 作者:  中村 淳一   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/18 半导体制造方法及半导体激光元件制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN100511590C, 申请日期: 2009-07-08, 公开日期: 2009-07-08 作者:  山本圭;  中村淳一   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/26 化合物半导体层和发光元件的制造方法及汽相生长设备 专利  OAI收割 专利号: CN100347821C, 申请日期: 2007-11-07, 公开日期: 2007-11-07 作者:  中村淳一;  佐佐木和明   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体発光素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3653408B2, 申请日期: 2005-03-04, 公开日期: 2005-05-25 作者:  佐々木 和明;  中村 淳一;  大山 尚一   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体発光素子及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1999074557A, 申请日期: 1999-03-16, 公开日期: 1999-03-16 作者:  細羽 弘之;  中村 淳一;  中津 弘志;  倉橋 孝尚;  村上 哲朗   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/18 化合物半導体素子及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1998163524A, 公开日期: 1998-06-19 作者:  細羽 弘之;  中村 淳一;  倉橋 孝尚   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/26