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半導体発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP2000340841A, 申请日期: 2000-12-08, 公开日期: 2000-12-08
作者:  
内田 憲治;  後藤 順;  五島 滋雄;  丹羽 敦子
  |  收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2020/01/18
化合物半導体のドライエッチング方法および化合物半導体素子 专利  OAI收割
专利号: JP2000232094A, 申请日期: 2000-08-22, 公开日期: 2000-08-22
作者:  
丹羽 敦子;  後藤 順;  内田 憲治;  五島 滋雄;  高濱 光治
  |  收藏  |  浏览/下载:21/0  |  提交时间:2019/12/31
半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP1999307865A, 申请日期: 1999-11-05, 公开日期: 1999-11-05
作者:  
重田 淳二;  五島 滋雄;  紀川 健
  |  收藏  |  浏览/下载:30/0  |  提交时间:2020/01/18