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机构
西安光学精密机械研究... [3]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
专利 [3]
发表日期
2000 [2]
1999 [1]
学科主题
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浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
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半導体発光素子
专利
OAI收割
专利号: JP2000340841A, 申请日期: 2000-12-08, 公开日期: 2000-12-08
作者:
内田 憲治
;
後藤 順
;
五島 滋雄
;
丹羽 敦子
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提交时间:2020/01/18
化合物半導体のドライエッチング方法および化合物半導体素子
专利
OAI收割
专利号: JP2000232094A, 申请日期: 2000-08-22, 公开日期: 2000-08-22
作者:
丹羽 敦子
;
後藤 順
;
内田 憲治
;
五島 滋雄
;
高濱 光治
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提交时间:2019/12/31
半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP1999307865A, 申请日期: 1999-11-05, 公开日期: 1999-11-05
作者:
重田 淳二
;
五島 滋雄
;
紀川 健
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提交时间:2020/01/18